BD676AG ON Semiconductor TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
BD676AG
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BD676AG Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
750 @ 2A, 3V
Магутнасць - Макс :
40W
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
45V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
2.8V @ 40mA, 2A
Пакет / Чахол :
TO-225AA, TO-126-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-225AA
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500µA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
4A
Тып мацавання :
Through Hole
Тып транзістара :
PNP - Darlington
Ўпакоўка :
Bulk
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
26,332
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BD676AG Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BD676AG больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BD676AG. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BD676AG. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BD676AG Асаблівасці
BD676AG is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя.
BD676AG Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BD676AG - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
BD676AG вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD676AG кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD676AG (PDF), кошт BD676AG, Распіноўка BD676AG, кіраўніцтва BD676AG і рашэнне на замену BD676AG.
BD676AG вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD676AG кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD676AG (PDF), кошт BD676AG, Распіноўка BD676AG, кіраўніцтва BD676AG і рашэнне на замену BD676AG.
BD676AG FAQ
:
1. What is the maximum collector current of the BD676AG power transistor?
The maximum collector current of the BD676AG power transistor is 4A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the BD676AG?
The maximum collector-emitter voltage rating of the BD676AG is 45V.
3. What is the power dissipation of the BD676AG at 25°C ambient temperature?
The power dissipation of the BD676AG at 25°C ambient temperature is 40W.
4. Can the BD676AG be used for high-power audio amplifier applications?
Yes, the BD676AG can be used for high-power audio amplifier applications due to its high power dissipation capability.
5. What is the typical DC current gain (hFE) of the BD676AG at IC = 3A?
The typical DC current gain (hFE) of the BD676AG at IC = 3A is 15.
6. Is the BD676AG suitable for use in switching applications?
Yes, the BD676AG is suitable for use in switching applications due to its high collector current and voltage ratings.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) of the BD676AG?
The thermal resistance junction to case (RthJC) of the BD676AG is 1.67°C/W.
8. Can the BD676AG withstand high operating temperatures?
Yes, the BD676AG can withstand high operating temperatures with proper heat sinking and thermal management.
9. What is the storage temperature range for the BD676AG?
The storage temperature range for the BD676AG is -65°C to 150°C.
10. Does the BD676AG require any special handling or precautions during assembly?
The BD676AG requires careful handling during assembly to prevent damage to the sensitive semiconductor components. Proper ESD precautions should be followed.
The maximum collector current of the BD676AG power transistor is 4A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the BD676AG?
The maximum collector-emitter voltage rating of the BD676AG is 45V.
3. What is the power dissipation of the BD676AG at 25°C ambient temperature?
The power dissipation of the BD676AG at 25°C ambient temperature is 40W.
4. Can the BD676AG be used for high-power audio amplifier applications?
Yes, the BD676AG can be used for high-power audio amplifier applications due to its high power dissipation capability.
5. What is the typical DC current gain (hFE) of the BD676AG at IC = 3A?
The typical DC current gain (hFE) of the BD676AG at IC = 3A is 15.
6. Is the BD676AG suitable for use in switching applications?
Yes, the BD676AG is suitable for use in switching applications due to its high collector current and voltage ratings.
7. What is the thermal resistance junction to case (RthJC) of the BD676AG?
The thermal resistance junction to case (RthJC) of the BD676AG is 1.67°C/W.
8. Can the BD676AG withstand high operating temperatures?
Yes, the BD676AG can withstand high operating temperatures with proper heat sinking and thermal management.
9. What is the storage temperature range for the BD676AG?
The storage temperature range for the BD676AG is -65°C to 150°C.
10. Does the BD676AG require any special handling or precautions during assembly?
The BD676AG requires careful handling during assembly to prevent damage to the sensitive semiconductor components. Proper ESD precautions should be followed.
BD676AG Змяненні, ключавыя словы
:
BD676AG Кошт
BD676AG Малюнак
BD676AG Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BD67"
