BD676 ON Semiconductor TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
BD676
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
BD676 Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
750 @ 1.5A, 3V
Магутнасць - Макс :
40W
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
45V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
2.5V @ 30mA, 1.5A
Пакет / Чахол :
TO-225AA, TO-126-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-225AA
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
500µA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
4A
Тып мацавання :
Through Hole
Тып транзістара :
PNP - Darlington
Ўпакоўка :
Bulk
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
14,700
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BD676 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BD676 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BD676. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BD676. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BD676 Асаблівасці
BD676 is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя.
BD676 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BD676 - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
BD676 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD676 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD676 (PDF), кошт BD676, Распіноўка BD676, кіраўніцтва BD676 і рашэнне на замену BD676.
BD676 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD676 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD676 (PDF), кошт BD676, Распіноўка BD676, кіраўніцтва BD676 і рашэнне на замену BD676.
BD676 FAQ
:
1. What is the maximum collector current of the BD676 power transistor?
The maximum collector current of the BD676 power transistor is 4 amperes.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the BD676?
The maximum collector-emitter voltage rating of the BD676 is 45 volts.
3. What is the typical DC current gain (hFE) of the BD676 at a collector current of 1 ampere?
The typical DC current gain (hFE) of the BD676 at a collector current of 1 ampere is 40.
4. What is the power dissipation of the BD676 in a TO-126 package at 25°C ambient temperature?
The power dissipation of the BD676 in a TO-126 package at 25°C ambient temperature is 65 watts.
5. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD676 in a TO-126 package?
The thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD676 in a TO-126 package is 3.125°C/W.
6. What is the storage temperature range for the BD676 transistor?
The storage temperature range for the BD676 transistor is -65°C to 150°C.
7. What is the maximum junction temperature of the BD676 transistor?
The maximum junction temperature of the BD676 transistor is 150°C.
8. What is the recommended soldering temperature and duration for the BD676 transistor?
The recommended soldering temperature for the BD676 transistor is 260°C for 10 seconds.
9. What is the safe operating area (SOA) of the BD676 transistor?
The safe operating area (SOA) of the BD676 transistor is specified in the datasheet graph.
10. What are the typical applications for the BD676 power transistor?
The typical applications for the BD676 power transistor include audio amplifiers, power regulators, and motor control circuits.
The maximum collector current of the BD676 power transistor is 4 amperes.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the BD676?
The maximum collector-emitter voltage rating of the BD676 is 45 volts.
3. What is the typical DC current gain (hFE) of the BD676 at a collector current of 1 ampere?
The typical DC current gain (hFE) of the BD676 at a collector current of 1 ampere is 40.
4. What is the power dissipation of the BD676 in a TO-126 package at 25°C ambient temperature?
The power dissipation of the BD676 in a TO-126 package at 25°C ambient temperature is 65 watts.
5. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD676 in a TO-126 package?
The thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD676 in a TO-126 package is 3.125°C/W.
6. What is the storage temperature range for the BD676 transistor?
The storage temperature range for the BD676 transistor is -65°C to 150°C.
7. What is the maximum junction temperature of the BD676 transistor?
The maximum junction temperature of the BD676 transistor is 150°C.
8. What is the recommended soldering temperature and duration for the BD676 transistor?
The recommended soldering temperature for the BD676 transistor is 260°C for 10 seconds.
9. What is the safe operating area (SOA) of the BD676 transistor?
The safe operating area (SOA) of the BD676 transistor is specified in the datasheet graph.
10. What are the typical applications for the BD676 power transistor?
The typical applications for the BD676 power transistor include audio amplifiers, power regulators, and motor control circuits.
BD676 Змяненні, ключавыя словы
:
BD676 Кошт
BD676 Малюнак
BD676 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BD67"
