1N6351US Microsemi Corporation ZENER DIODE
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N6351US
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
ZENER DIODE
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
1N6351US Табліцы дадзеных(PDF)
Імпеданс (макс.) (Zzt) :
-
Магутнасць - Макс :
-
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
-
Напружанне - стабілітрон (ном.) (Vz) :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Талерантнасць :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
28,162
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N6351US Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N6351US больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N6351US. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N6351US. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N6351US Асаблівасці
1N6351US is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - Зенера - Аднамесны.
1N6351US Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N6351US - гэта Дыёды - Зенера - Аднамесны, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N6351US вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6351US кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6351US (PDF), кошт 1N6351US, Распіноўка 1N6351US, кіраўніцтва 1N6351US і рашэнне на замену 1N6351US.
1N6351US вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6351US кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6351US (PDF), кошт 1N6351US, Распіноўка 1N6351US, кіраўніцтва 1N6351US і рашэнне на замену 1N6351US.
1N6351US FAQ
:
1. What is the maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N6351US rectifier?
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N6351US rectifier is 200 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N6351US rectifier?
The average forward current rating of the 1N6351US rectifier is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N6351US rectifier at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N6351US rectifier at 8.3ms single half sine-wave is 150 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N6351US rectifier at 3A?
The maximum forward voltage drop of the 1N6351US rectifier at 3A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N6351US rectifier at 4V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N6351US rectifier at 4V, 1MHz is 50 pF.
6. What is the operating junction temperature range for the 1N6351US rectifier?
The operating junction temperature range for the 1N6351US rectifier is -65°C to +175°C.
7. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6351US rectifier?
The thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6351US rectifier is 3.0°C/W.
8. What is the storage temperature range for the 1N6351US rectifier?
The storage temperature range for the 1N6351US rectifier is -65°C to +175°C.
9. What is the maximum reverse leakage current of the 1N6351US rectifier at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N6351US rectifier at its rated voltage is 5µA.
10. What is the package type of the 1N6351US rectifier?
The package type of the 1N6351US rectifier is DO-201AD.
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N6351US rectifier is 200 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N6351US rectifier?
The average forward current rating of the 1N6351US rectifier is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N6351US rectifier at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N6351US rectifier at 8.3ms single half sine-wave is 150 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N6351US rectifier at 3A?
The maximum forward voltage drop of the 1N6351US rectifier at 3A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N6351US rectifier at 4V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N6351US rectifier at 4V, 1MHz is 50 pF.
6. What is the operating junction temperature range for the 1N6351US rectifier?
The operating junction temperature range for the 1N6351US rectifier is -65°C to +175°C.
7. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6351US rectifier?
The thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6351US rectifier is 3.0°C/W.
8. What is the storage temperature range for the 1N6351US rectifier?
The storage temperature range for the 1N6351US rectifier is -65°C to +175°C.
9. What is the maximum reverse leakage current of the 1N6351US rectifier at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N6351US rectifier at its rated voltage is 5µA.
10. What is the package type of the 1N6351US rectifier?
The package type of the 1N6351US rectifier is DO-201AD.
1N6351US Змяненні, ключавыя словы
:
1N6351US Кошт
1N6351US Малюнак
1N6351US Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1