1N6351 Microsemi Corporation ZENER DIODE
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N6351
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
ZENER DIODE
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Імпеданс (макс.) (Zzt) :
-
Магутнасць - Макс :
-
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
-
Напружанне - стабілітрон (ном.) (Vz) :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Талерантнасць :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
17,955
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N6351 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N6351 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N6351. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N6351. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N6351 Асаблівасці
1N6351 is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - Зенера - Аднамесны.
1N6351 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N6351 - гэта Дыёды - Зенера - Аднамесны, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N6351 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6351 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6351 (PDF), кошт 1N6351, Распіноўка 1N6351, кіраўніцтва 1N6351 і рашэнне на замену 1N6351.
1N6351 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6351 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6351 (PDF), кошт 1N6351, Распіноўка 1N6351, кіраўніцтва 1N6351 і рашэнне на замену 1N6351.
1N6351 FAQ
:
1. What is the maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6351 rectifier diode?
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6351 rectifier diode is 200 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6351 diode at a specified temperature?
The average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6351 diode is 3 amperes at a specified temperature.
3. Can you explain the peak forward surge current (IFSM) specification for the 1N6351 diode?
The peak forward surge current (IFSM) specification for the 1N6351 diode is 150 amperes, which indicates the maximum allowable surge current for a short duration.
4. What is the typical forward voltage drop (VF) of the 1N6351 diode at a certain forward current?
The typical forward voltage drop (VF) of the 1N6351 diode is 1.1 volts at a forward current of 3 amperes.
5. Does the 1N6351 diode have a specified reverse recovery time?
Yes, the 1N6351 diode has a reverse recovery time of 500 nanoseconds.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N6351 diode?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N6351 diode is 175°C.
7. Can you provide the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 1N6351 diode?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 1N6351 diode is 3.0°C/W.
8. Is the 1N6351 diode suitable for high-frequency applications?
Yes, the 1N6351 diode is suitable for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
9. What are the typical applications for the 1N6351 diode?
Typical applications for the 1N6351 diode include rectification, freewheeling, and polarity protection in various electronic circuits.
10. Can the 1N6351 diode handle high power dissipation?
Yes, the 1N6351 diode can handle high power dissipation due to its robust design and thermal characteristics.
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6351 rectifier diode is 200 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6351 diode at a specified temperature?
The average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6351 diode is 3 amperes at a specified temperature.
3. Can you explain the peak forward surge current (IFSM) specification for the 1N6351 diode?
The peak forward surge current (IFSM) specification for the 1N6351 diode is 150 amperes, which indicates the maximum allowable surge current for a short duration.
4. What is the typical forward voltage drop (VF) of the 1N6351 diode at a certain forward current?
The typical forward voltage drop (VF) of the 1N6351 diode is 1.1 volts at a forward current of 3 amperes.
5. Does the 1N6351 diode have a specified reverse recovery time?
Yes, the 1N6351 diode has a reverse recovery time of 500 nanoseconds.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N6351 diode?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N6351 diode is 175°C.
7. Can you provide the thermal resistance junction to case (RthJC) for the 1N6351 diode?
The thermal resistance junction to case (RthJC) for the 1N6351 diode is 3.0°C/W.
8. Is the 1N6351 diode suitable for high-frequency applications?
Yes, the 1N6351 diode is suitable for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
9. What are the typical applications for the 1N6351 diode?
Typical applications for the 1N6351 diode include rectification, freewheeling, and polarity protection in various electronic circuits.
10. Can the 1N6351 diode handle high power dissipation?
Yes, the 1N6351 diode can handle high power dissipation due to its robust design and thermal characteristics.
1N6351 Змяненні, ключавыя словы
:
1N6351 Кошт
1N6351 Малюнак
1N6351 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
