1N5550US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N5550US
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
1N5550US Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
200V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.2V @ 9A
Пакет / Чахол :
SQ-MELF, B
Пакет прылады пастаўшчыка :
D-5B
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-65°C ~ 175°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 200V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
3A
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Bulk
хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
2µs
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Standard
в наличии
20,475
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N5550US Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N5550US больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N5550US. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N5550US. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N5550US Асаблівасці
1N5550US is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
1N5550US Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N5550US - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N5550US вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5550US кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5550US (PDF), кошт 1N5550US, Распіноўка 1N5550US, кіраўніцтва 1N5550US і рашэнне на замену 1N5550US.
1N5550US вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5550US кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5550US (PDF), кошт 1N5550US, Распіноўка 1N5550US, кіраўніцтва 1N5550US і рашэнне на замену 1N5550US.
1N5550US FAQ
:
1. What is the maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US?
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US is 400 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N5550US?
The average forward current rating of the 1N5550US is 200 milliamperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave is 4.0 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz is 15 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage is 5.0 microamperes.
7. What is the operating and storage temperature range for the 1N5550US?
The operating and storage temperature range for the 1N5550US is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US?
The thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US is 83°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A is 4.0 microseconds.
10. What is the package type of the 1N5550US?
The package type of the 1N5550US is DO-41.
The maximum repetitive peak reverse voltage of the 1N5550US is 400 volts.
2. What is the average forward current rating of the 1N5550US?
The average forward current rating of the 1N5550US is 200 milliamperes.
3. What is the peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave?
The peak forward surge current for the 1N5550US at 8.3ms single half sine-wave is 4.0 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum forward voltage drop of the 1N5550US at 1.0A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz?
The typical junction capacitance of the 1N5550US at 4.0V, 1MHz is 15 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current of the 1N5550US at its rated voltage is 5.0 microamperes.
7. What is the operating and storage temperature range for the 1N5550US?
The operating and storage temperature range for the 1N5550US is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US?
The thermal resistance junction to ambient for the 1N5550US is 83°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A?
The maximum reverse recovery time of the 1N5550US at 1.0A is 4.0 microseconds.
10. What is the package type of the 1N5550US?
The package type of the 1N5550US is DO-41.
1N5550US Змяненні, ключавыя словы
:
1N5550US Кошт
1N5550US Малюнак
1N5550US Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "1N55"
