1N5551 Semtech Corporation DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N5551
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
1N5551 Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
92pF @ 5V, 1MHz
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
400V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1V @ 3A
Пакет / Чахол :
Axial
Пакет прылады пастаўшчыка :
Axial
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 400V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
5A
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Bulk
хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
2µs
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Standard
в наличии
30,722
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N5551 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N5551 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N5551. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N5551. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N5551 Асаблівасці
1N5551 is produced by Semtech Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
1N5551 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N5551 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Semtech Corporation.
1N5551 вытворчасці Semtech Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5551 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5551 (PDF), кошт 1N5551, Распіноўка 1N5551, кіраўніцтва 1N5551 і рашэнне на замену 1N5551.
1N5551 вытворчасці Semtech Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5551 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5551 (PDF), кошт 1N5551, Распіноўка 1N5551, кіраўніцтва 1N5551 і рашэнне на замену 1N5551.
1N5551 FAQ
:
1. What is the maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor?
The maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor is 600mA.
2. What is the typical voltage drop across the 1N5551 diode when it is conducting a current of 100mA?
The typical voltage drop across the 1N5551 diode when conducting a current of 100mA is around 0.7V.
3. What is the maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario?
The maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario is 500mW.
4. Can the 1N5551 be used for high-speed switching applications?
Yes, the 1N5551 can be used for high-speed switching applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the reverse recovery time of the 1N5551 diode?
The reverse recovery time of the 1N5551 diode is typically around 4ns.
6. Is the 1N5551 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, the 1N5551 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature for the 1N5551?
The maximum junction temperature for the 1N5551 is 175°C.
8. Can the 1N5551 withstand high reverse voltage?
Yes, the 1N5551 can withstand a high reverse voltage of up to 75V.
9. What is the typical capacitance of the 1N5551 diode at a specified reverse bias voltage?
The typical capacitance of the 1N5551 diode at a reverse bias voltage of 4V is around 4pF.
10. Does the 1N5551 have a specified storage temperature range?
Yes, the specified storage temperature range for the 1N5551 is -65°C to 175°C.
The maximum collector current rating of the 1N5551 discrete semiconductor is 600mA.
2. What is the typical voltage drop across the 1N5551 diode when it is conducting a current of 100mA?
The typical voltage drop across the 1N5551 diode when conducting a current of 100mA is around 0.7V.
3. What is the maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario?
The maximum power dissipation for the 1N5551 in a typical operating scenario is 500mW.
4. Can the 1N5551 be used for high-speed switching applications?
Yes, the 1N5551 can be used for high-speed switching applications due to its fast switching characteristics.
5. What is the reverse recovery time of the 1N5551 diode?
The reverse recovery time of the 1N5551 diode is typically around 4ns.
6. Is the 1N5551 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, the 1N5551 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature for the 1N5551?
The maximum junction temperature for the 1N5551 is 175°C.
8. Can the 1N5551 withstand high reverse voltage?
Yes, the 1N5551 can withstand a high reverse voltage of up to 75V.
9. What is the typical capacitance of the 1N5551 diode at a specified reverse bias voltage?
The typical capacitance of the 1N5551 diode at a reverse bias voltage of 4V is around 4pF.
10. Does the 1N5551 have a specified storage temperature range?
Yes, the specified storage temperature range for the 1N5551 is -65°C to 175°C.
1N5551 Змяненні, ключавыя словы
:
1N5551 Кошт
1N5551 Малюнак
1N5551 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "1N55"
