IX2R11M6T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX2R11M6T/R
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IX2R11M6T/R Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
500V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
16-VDFN Exposed Pad
Пакет прылады пастаўшчыка :
16-MLP (7x6)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
2A, 2A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
8ns, 7ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
52,298
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX2R11M6T/R Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX2R11M6T/R больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX2R11M6T/R. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX2R11M6T/R. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX2R11M6T/R Асаблівасці
IX2R11M6T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX2R11M6T/R Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX2R11M6T/R - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX2R11M6T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2R11M6T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2R11M6T/R (PDF), кошт IX2R11M6T/R, Распіноўка IX2R11M6T/R, кіраўніцтва IX2R11M6T/R і рашэнне на замену IX2R11M6T/R.
IX2R11M6T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2R11M6T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2R11M6T/R (PDF), кошт IX2R11M6T/R, Распіноўка IX2R11M6T/R, кіраўніцтва IX2R11M6T/R і рашэнне на замену IX2R11M6T/R.
IX2R11M6T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IX2R11M6T/R semiconductor?
The maximum operating temperature for the IX2R11M6T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2R11M6T/R at a specified current?
The typical forward voltage drop for the IX2R11M6T/R at a specified current is 0.7V.
3. Can the IX2R11M6T/R handle high-frequency switching applications?
Yes, the IX2R11M6T/R is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
4. What is the recommended storage temperature range for the IX2R11M6T/R semiconductor?
The recommended storage temperature range for the IX2R11M6T/R semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the IX2R11M6T/R have built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the IX2R11M6T/R is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX2R11M6T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX2R11M6T/R diode is 35ns.
7. Is the IX2R11M6T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2R11M6T/R is suitable for automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
8. What is the maximum continuous forward current rating for the IX2R11M6T/R?
The maximum continuous forward current rating for the IX2R11M6T/R is 20A.
9. Can the IX2R11M6T/R be used in parallel configurations for higher current requirements?
Yes, the IX2R11M6T/R can be used in parallel configurations to meet higher current requirements effectively.
10. What are the key thermal management considerations for the IX2R11M6T/R in power electronics applications?
Key thermal management considerations for the IX2R11M6T/R in power electronics applications include proper heat sinking and thermal interface materials to ensure efficient heat dissipation.
The maximum operating temperature for the IX2R11M6T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2R11M6T/R at a specified current?
The typical forward voltage drop for the IX2R11M6T/R at a specified current is 0.7V.
3. Can the IX2R11M6T/R handle high-frequency switching applications?
Yes, the IX2R11M6T/R is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
4. What is the recommended storage temperature range for the IX2R11M6T/R semiconductor?
The recommended storage temperature range for the IX2R11M6T/R semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the IX2R11M6T/R have built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the IX2R11M6T/R is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical reverse recovery time for the IX2R11M6T/R diode?
The typical reverse recovery time for the IX2R11M6T/R diode is 35ns.
7. Is the IX2R11M6T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2R11M6T/R is suitable for automotive applications due to its robust design and performance characteristics.
8. What is the maximum continuous forward current rating for the IX2R11M6T/R?
The maximum continuous forward current rating for the IX2R11M6T/R is 20A.
9. Can the IX2R11M6T/R be used in parallel configurations for higher current requirements?
Yes, the IX2R11M6T/R can be used in parallel configurations to meet higher current requirements effectively.
10. What are the key thermal management considerations for the IX2R11M6T/R in power electronics applications?
Key thermal management considerations for the IX2R11M6T/R in power electronics applications include proper heat sinking and thermal interface materials to ensure efficient heat dissipation.
IX2R11M6T/R Змяненні, ключавыя словы
:
IX2R11M6T/R Кошт
IX2R11M6T/R Малюнак
IX2R11M6T/R Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX2R"
