IX2R11M6 IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX2R11M6
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
IX2R11M6 Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
500V
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Колькасць драйвераў :
2
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Напружанне - сілкаванне :
10 V ~ 35 V
Пакет / Чахол :
16-VDFN Exposed Pad
Пакет прылады пастаўшчыка :
16-MLP (7x6)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
2A, 2A
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Тып канала :
Independent
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
8ns, 7ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
49,080
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX2R11M6 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX2R11M6 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX2R11M6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX2R11M6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX2R11M6 Асаблівасці
IX2R11M6 is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX2R11M6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX2R11M6 - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX2R11M6 вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2R11M6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2R11M6 (PDF), кошт IX2R11M6, Распіноўка IX2R11M6, кіраўніцтва IX2R11M6 і рашэнне на замену IX2R11M6.
IX2R11M6 вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2R11M6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2R11M6 (PDF), кошт IX2R11M6, Распіноўка IX2R11M6, кіраўніцтва IX2R11M6 і рашэнне на замену IX2R11M6.
IX2R11M6 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the IX2R11M6 power semiconductor?
The maximum operating temperature of the IX2R11M6 power semiconductor is 150°C.
2. What is the typical on-state voltage drop of the IX2R11M6 at its rated current?
The typical on-state voltage drop of the IX2R11M6 at its rated current is 1.5V.
3. What is the recommended gate drive voltage for the IX2R11M6?
The recommended gate drive voltage for the IX2R11M6 is 15V.
4. Can the IX2R11M6 be used in parallel to handle higher currents?
Yes, the IX2R11M6 can be used in parallel to handle higher currents with proper current sharing and thermal management.
5. What is the maximum continuous drain current rating of the IX2R11M6?
The maximum continuous drain current rating of the IX2R11M6 is 100A.
6. Does the IX2R11M6 require a heatsink for operation?
Yes, the IX2R11M6 requires a heatsink for efficient heat dissipation during operation.
7. What is the typical turn-on time of the IX2R11M6?
The typical turn-on time of the IX2R11M6 is 50ns.
8. Is the IX2R11M6 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the IX2R11M6 is suitable for high-frequency switching applications due to its fast switching characteristics.
9. What is the maximum gate-source voltage (Vgs) for the IX2R11M6?
The maximum gate-source voltage (Vgs) for the IX2R11M6 is ±20V.
10. Can the IX2R11M6 withstand high dv/dt and di/dt conditions?
Yes, the IX2R11M6 is designed to withstand high dv/dt and di/dt conditions, making it suitable for demanding switching environments.
The maximum operating temperature of the IX2R11M6 power semiconductor is 150°C.
2. What is the typical on-state voltage drop of the IX2R11M6 at its rated current?
The typical on-state voltage drop of the IX2R11M6 at its rated current is 1.5V.
3. What is the recommended gate drive voltage for the IX2R11M6?
The recommended gate drive voltage for the IX2R11M6 is 15V.
4. Can the IX2R11M6 be used in parallel to handle higher currents?
Yes, the IX2R11M6 can be used in parallel to handle higher currents with proper current sharing and thermal management.
5. What is the maximum continuous drain current rating of the IX2R11M6?
The maximum continuous drain current rating of the IX2R11M6 is 100A.
6. Does the IX2R11M6 require a heatsink for operation?
Yes, the IX2R11M6 requires a heatsink for efficient heat dissipation during operation.
7. What is the typical turn-on time of the IX2R11M6?
The typical turn-on time of the IX2R11M6 is 50ns.
8. Is the IX2R11M6 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the IX2R11M6 is suitable for high-frequency switching applications due to its fast switching characteristics.
9. What is the maximum gate-source voltage (Vgs) for the IX2R11M6?
The maximum gate-source voltage (Vgs) for the IX2R11M6 is ±20V.
10. Can the IX2R11M6 withstand high dv/dt and di/dt conditions?
Yes, the IX2R11M6 is designed to withstand high dv/dt and di/dt conditions, making it suitable for demanding switching environments.
IX2R11M6 Змяненні, ключавыя словы
:
IX2R11M6 Кошт
IX2R11M6 Малюнак
IX2R11M6 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX2R"
