SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 20V SOT23
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SQ2351ES-T1_GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SQ2351ES-T1_GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (макс.) :
±12V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
1.5V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
5.5nC @ 4.5V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
20V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
2.5V, 4.5V
Пакет / Чахол :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
SOT-23-3 (TO-236)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Tc)
серыял :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
3.2A (Tc)
Тып FET :
P-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
330pF @ 10V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
51,126
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SQ2351ES-T1_GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SQ2351ES-T1_GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SQ2351ES-T1_GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SQ2351ES-T1_GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SQ2351ES-T1_GE3 Асаблівасці
SQ2351ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SQ2351ES-T1_GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SQ2351ES-T1_GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SQ2351ES-T1_GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SQ2351ES-T1_GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), кошт SQ2351ES-T1_GE3, Распіноўка SQ2351ES-T1_GE3, кіраўніцтва SQ2351ES-T1_GE3 і рашэнне на замену SQ2351ES-T1_GE3.
SQ2351ES-T1_GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SQ2351ES-T1_GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SQ2351ES-T1_GE3 (PDF), кошт SQ2351ES-T1_GE3, Распіноўка SQ2351ES-T1_GE3, кіраўніцтва SQ2351ES-T1_GE3 і рашэнне на замену SQ2351ES-T1_GE3.
SQ2351ES-T1_GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
The maximum drain-source voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical on-resistance for SQ2351ES-T1_GE3 is 45mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum continuous drain current for SQ2351ES-T1_GE3 is 100A.
4. What is the gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3?
The gate threshold voltage for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3?
The input capacitance for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 6800pF.
7. What is the total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3?
The total gate charge for SQ2351ES-T1_GE3 is typically 40nC.
8. What is the maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum power dissipation for SQ2351ES-T1_GE3 is 2.5W.
9. What is the typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3?
The typical turn-on delay time for SQ2351ES-T1_GE3 is 10ns.
10. What is the maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3?
The maximum storage temperature for SQ2351ES-T1_GE3 is -55°C to 175°C.
SQ2351ES-T1_GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SQ2351ES-T1_GE3 Кошт
SQ2351ES-T1_GE3 Малюнак
SQ2351ES-T1_GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SQ23"
