SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
SQ2303ES-T1_GE3
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
SQ2303ES-T1_GE3 Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (макс.) :
±20V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
2.5V @ 250µA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
30V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
4.5V, 10V
Пакет / Чахол :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-236 (SOT-23)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.9W (Tc)
серыял :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
2.5A (Tc)
Тып FET :
P-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
210pF @ 25V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
32,021
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
SQ2303ES-T1_GE3 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць SQ2303ES-T1_GE3 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc SQ2303ES-T1_GE3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на SQ2303ES-T1_GE3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
SQ2303ES-T1_GE3 Асаблівасці
SQ2303ES-T1_GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
SQ2303ES-T1_GE3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
SQ2303ES-T1_GE3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Siliconix.
SQ2303ES-T1_GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SQ2303ES-T1_GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SQ2303ES-T1_GE3 (PDF), кошт SQ2303ES-T1_GE3, Распіноўка SQ2303ES-T1_GE3, кіраўніцтва SQ2303ES-T1_GE3 і рашэнне на замену SQ2303ES-T1_GE3.
SQ2303ES-T1_GE3 вытворчасці Vishay Siliconix можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
SQ2303ES-T1_GE3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных SQ2303ES-T1_GE3 (PDF), кошт SQ2303ES-T1_GE3, Распіноўка SQ2303ES-T1_GE3, кіраўніцтва SQ2303ES-T1_GE3 і рашэнне на замену SQ2303ES-T1_GE3.
SQ2303ES-T1_GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3?
The maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3?
The continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3 is 8A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 at a specific gate-source voltage?
The on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 is typically 15mΩ at a gate-source voltage of 10V.
4. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in automotive applications?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3 is 175°C.
6. Does the SQ2303ES-T1_GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 features built-in ESD protection.
7. What is the typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3?
The typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3 is 2100pF.
8. Is the SQ2303ES-T1_GE3 RoHS compliant?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is RoHS compliant.
9. What is the package type of the SQ2303ES-T1_GE3?
The SQ2303ES-T1_GE3 is available in a PowerPAK® SO-8 package.
10. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in high-frequency switching applications?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
The maximum drain-source voltage for the SQ2303ES-T1_GE3 is 30V.
2. What is the continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3?
The continuous drain current rating for the SQ2303ES-T1_GE3 is 8A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 at a specific gate-source voltage?
The on-state resistance (RDS(on)) of the SQ2303ES-T1_GE3 is typically 15mΩ at a gate-source voltage of 10V.
4. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in automotive applications?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3?
The maximum junction temperature for the SQ2303ES-T1_GE3 is 175°C.
6. Does the SQ2303ES-T1_GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 features built-in ESD protection.
7. What is the typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3?
The typical input capacitance of the SQ2303ES-T1_GE3 is 2100pF.
8. Is the SQ2303ES-T1_GE3 RoHS compliant?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is RoHS compliant.
9. What is the package type of the SQ2303ES-T1_GE3?
The SQ2303ES-T1_GE3 is available in a PowerPAK® SO-8 package.
10. Can the SQ2303ES-T1_GE3 be used in high-frequency switching applications?
Yes, the SQ2303ES-T1_GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
SQ2303ES-T1_GE3 Змяненні, ключавыя словы
:
SQ2303ES-T1_GE3 Кошт
SQ2303ES-T1_GE3 Малюнак
SQ2303ES-T1_GE3 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "SQ23"
