VBT10200C-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
VBT10200C-E3/8W
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
VBT10200C-E3/8W Табліцы дадзеных(PDF)
Канфігурацыя дыёда :
1 Pair Common Cathode
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
200V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.6V @ 5A
Пакет / Чахол :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-263AB
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-40°C ~ 150°C
серыял :
TMBS®
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
150µA @ 200V
Ток - сярэдняе выпрамленае (Io) (на дыёд) :
5A
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
хуткасць :
Fast Recovery = 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Schottky
в наличии
31,726
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
VBT10200C-E3/8W Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць VBT10200C-E3/8W больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc VBT10200C-E3/8W. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на VBT10200C-E3/8W. Націсніце, каб атрымаць прапанову
VBT10200C-E3/8W Асаблівасці
VBT10200C-E3/8W is produced by Vishay Semiconductor Diodes Division, belongs to Дыёды - прыборы - масівы.
VBT10200C-E3/8W Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
VBT10200C-E3/8W - гэта Дыёды - прыборы - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Vishay Semiconductor Diodes Division.
VBT10200C-E3/8W вытворчасці Vishay Semiconductor Diodes Division можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VBT10200C-E3/8W кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VBT10200C-E3/8W (PDF), кошт VBT10200C-E3/8W, Распіноўка VBT10200C-E3/8W, кіраўніцтва VBT10200C-E3/8W і рашэнне на замену VBT10200C-E3/8W.
VBT10200C-E3/8W вытворчасці Vishay Semiconductor Diodes Division можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VBT10200C-E3/8W кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VBT10200C-E3/8W (PDF), кошт VBT10200C-E3/8W, Распіноўка VBT10200C-E3/8W, кіраўніцтва VBT10200C-E3/8W і рашэнне на замену VBT10200C-E3/8W.
VBT10200C-E3/8W FAQ
:
1. What is the maximum continuous forward current for the VBT10200C-E3/8W?
The maximum continuous forward current for the VBT10200C-E3/8W is 10A.
2. What is the reverse recovery time of the VBT10200C-E3/8W?
The reverse recovery time of the VBT10200C-E3/8W is typically 35ns.
3. What is the maximum junction temperature for the VBT10200C-E3/8W?
The maximum junction temperature for the VBT10200C-E3/8W is 150°C.
4. What is the forward voltage drop of the VBT10200C-E3/8W at 25°C?
The forward voltage drop of the VBT10200C-E3/8W at 25°C is typically 0.85V.
5. What is the maximum reverse voltage for the VBT10200C-E3/8W?
The maximum reverse voltage for the VBT10200C-E3/8W is 200V.
6. What is the thermal resistance junction to case for the VBT10200C-E3/8W?
The thermal resistance junction to case for the VBT10200C-E3/8W is typically 2.5°C/W.
7. What is the storage temperature range for the VBT10200C-E3/8W?
The storage temperature range for the VBT10200C-E3/8W is -55°C to 175°C.
8. What is the maximum forward surge current for the VBT10200C-E3/8W at 60Hz?
The maximum forward surge current for the VBT10200C-E3/8W at 60Hz is 120A.
9. What is the recommended soldering temperature and duration for the VBT10200C-E3/8W?
The recommended soldering temperature for the VBT10200C-E3/8W is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
10. What is the weight of the VBT10200C-E3/8W?
The weight of the VBT10200C-E3/8W is approximately 1.1g.
The maximum continuous forward current for the VBT10200C-E3/8W is 10A.
2. What is the reverse recovery time of the VBT10200C-E3/8W?
The reverse recovery time of the VBT10200C-E3/8W is typically 35ns.
3. What is the maximum junction temperature for the VBT10200C-E3/8W?
The maximum junction temperature for the VBT10200C-E3/8W is 150°C.
4. What is the forward voltage drop of the VBT10200C-E3/8W at 25°C?
The forward voltage drop of the VBT10200C-E3/8W at 25°C is typically 0.85V.
5. What is the maximum reverse voltage for the VBT10200C-E3/8W?
The maximum reverse voltage for the VBT10200C-E3/8W is 200V.
6. What is the thermal resistance junction to case for the VBT10200C-E3/8W?
The thermal resistance junction to case for the VBT10200C-E3/8W is typically 2.5°C/W.
7. What is the storage temperature range for the VBT10200C-E3/8W?
The storage temperature range for the VBT10200C-E3/8W is -55°C to 175°C.
8. What is the maximum forward surge current for the VBT10200C-E3/8W at 60Hz?
The maximum forward surge current for the VBT10200C-E3/8W at 60Hz is 120A.
9. What is the recommended soldering temperature and duration for the VBT10200C-E3/8W?
The recommended soldering temperature for the VBT10200C-E3/8W is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
10. What is the weight of the VBT10200C-E3/8W?
The weight of the VBT10200C-E3/8W is approximately 1.1g.
VBT10200C-E3/8W Змяненні, ключавыя словы
:
VBT10200C-E3/8W Кошт
VBT10200C-E3/8W Малюнак
VBT10200C-E3/8W Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "VBT1"
