WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Звяжыцеся з намі  |  Становішчы і ўмовы
Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC

Сяброўства

Сардэчна запрашаем у Chipic

Мае асабістыя дадзеныя. Статус замовы & amp; Гісторыя Запыт Кіраванне адрасамі
РэгістрацыяАбоРэгістрацыя
  1. Галоўная
  2. катэгорыі
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
  4. Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя
  5. RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
RN1312(TE85L,F)
Вытворца:
Toshiba Semiconductor and Storage
Катэгорыя прадукцыі:
Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя
Апісанне:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS
Табліцы дадзеных:
RN1312(TE85L,F) Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Магутнасць - Макс :
150mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Пакет / Чахол :
SC-70, SOT-323
Пакет прылады пастаўшчыка :
USM
Рэзістар - база (R1) :
22 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
-
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
100nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
NPN - Pre-Biased
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
250MHz
Частка Статус :
Active
в наличии
52,317
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

RN1312(TE85L,F) Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць RN1312(TE85L,F) больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc RN1312(TE85L,F). Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на RN1312(TE85L,F). Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

RN1312(TE85L,F) Асаблівасці

RN1312(TE85L,F) is produced by Toshiba Semiconductor and Storage, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя.
  

RN1312(TE85L,F) Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
RN1312(TE85L,F) - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Toshiba Semiconductor and Storage.
RN1312(TE85L,F) вытворчасці Toshiba Semiconductor and Storage можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
RN1312(TE85L,F) кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных RN1312(TE85L,F) (PDF), кошт RN1312(TE85L,F), Распіноўка RN1312(TE85L,F), кіраўніцтва RN1312(TE85L,F) і рашэнне на замену RN1312(TE85L,F).
  

RN1312(TE85L,F) FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature of the RN1312(TE85L,F) semiconductor module?

The maximum operating temperature of the RN1312(TE85L,F) semiconductor module is 125°C.

2. What is the typical power consumption of the RN1312(TE85L,F) module during operation?

The typical power consumption of the RN1312(TE85L,F) module during operation is 4.5mA for transmitting and 3.5mA for receiving.

3. Can the RN1312(TE85L,F) module be used for battery-powered applications?

Yes, the RN1312(TE85L,F) module is suitable for battery-powered applications due to its low power consumption.

4. What is the data rate supported by the RN1312(TE85L,F) module?

The RN1312(TE85L,F) module supports a data rate of up to 1Mbps.

5. Does the RN1312(TE85L,F) module support security features such as encryption?

Yes, the RN1312(TE85L,F) module supports WEP, WPA, and WPA2 security protocols for data encryption.

6. What is the range of the RN1312(TE85L,F) module in typical indoor environments?

The RN1312(TE85L,F) module has a typical indoor range of approximately 100 meters.

7. Is the RN1312(TE85L,F) module certified for use in specific regions or countries?

Yes, the RN1312(TE85L,F) module is certified for use in various regions, including FCC and CE certifications.

8. Can the RN1312(TE85L,F) module be used in industrial temperature range applications?

Yes, the RN1312(TE85L,F) module is designed to operate in industrial temperature range applications.

9. What are the interface options available on the RN1312(TE85L,F) module?

The RN1312(TE85L,F) module provides UART and SPI interfaces for easy integration with different host systems.

10. Does the RN1312(TE85L,F) module require external components for operation?

The RN1312(TE85L,F) module requires minimal external components, making it easy to integrate into various designs.
  

RN1312(TE85L,F) Змяненні, ключавыя словы

:
RN1312(TE85L,F) Кошт
RN1312(TE85L,F) Тэхнічная спецыфікацыя
RN1312(TE85L,F) Малюнак
RN1312(TE85L,F) PDF
RN1312(TE85L,F) Тэхнічныя характарыстыкі
RN1312(TE85L,F) Напружанне на выснове
RN1312(TE85L,F) Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "RN13"