VNS1NV04-E STMicroelectronics IC PWR MOSFET M03 40V 1.7A 8SOIC

Інтэгральныя схемы (ІС)

Нумар вытворцы:

VNS1NV04-E

Вытворца:

STMicroelectronics

Катэгорыя прадукцыі:

PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі

Апісанне:

IC PWR MOSFET M03 40V 1.7A 8SOIC

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

VNS1NV04-E Табліцы дадзеных(PDF)

Rds уключаны (тып) :

250 mOhm (Max)

Інтэрфейс :

On/Off

Абарона ад памылак :

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

Асаблівасці :

Канфігурацыя вываду :

Low Side

Каэфіцыент - Уваход: Вывад :

1:1

Колькасць выхадаў :

Напружанне - нагрузка :

36V (Max)

Напружанне - сілкаванне (Vcc/Vdd) :

Not Required

Пакет / Чахол :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет прылады пастаўшчыка :

8-SO

Працоўная тэмпература :

-40°C ~ 150°C (TJ)

серыял :

OMNIFET II™, VIPower™

Ток - выхад (макс.) :

1.7A

Тып вываду :

N-Channel

Тып перамыкача :

General Purpose

Тып уводу :

Non-Inverting

Ўпакоўка :

Tube

Частка Статус :

Obsolete

в наличии

33,528

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

VNS1NV04-E Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць VNS1NV04-E больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc VNS1NV04-E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на VNS1NV04-E. Націсніце, каб атрымаць прапанову

VNS1NV04-E Асаблівасці

VNS1NV04-E is produced by STMicroelectronics, belongs to PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі.

VNS1NV04-E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

VNS1NV04-E - гэта PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя STMicroelectronics.
VNS1NV04-E вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VNS1NV04-E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VNS1NV04-E (PDF), кошт VNS1NV04-E, Распіноўка VNS1NV04-E, кіраўніцтва VNS1NV04-E і рашэнне на замену VNS1NV04-E.

VNS1NV04-E FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04-E MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04-E MOSFET is 40 volts.

2. What is the continuous drain current rating for the VNS1NV04-E MOSFET?
The continuous drain current rating for the VNS1NV04-E MOSFET is 1 ampere.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the VNS1NV04-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the VNS1NV04-E MOSFET is typically 0.12 ohms.

4. Can the VNS1NV04-E MOSFET be used for high-frequency switching applications?
Yes, the VNS1NV04-E MOSFET can be used for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.

5. What is the maximum junction temperature for the VNS1NV04-E MOSFET?
The maximum junction temperature for the VNS1NV04-E MOSFET is 150 degrees Celsius.

6. Does the VNS1NV04-E MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to calculate the power dissipation and thermal resistance to determine if a heat sink is necessary.

7. What is the gate threshold voltage for the VNS1NV04-E MOSFET?
The gate threshold voltage for the VNS1NV04-E MOSFET is typically 1.5 volts.

8. Is the VNS1NV04-E MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the VNS1NV04-E MOSFET is designed for automotive applications and complies with relevant industry standards.

9. What is the input capacitance of the VNS1NV04-E MOSFET?
The input capacitance of the VNS1NV04-E MOSFET is typically 700 picofarads.

10. Can the VNS1NV04-E MOSFET be used in both low-side and high-side configurations?
Yes, the VNS1NV04-E MOSFET can be used in both low-side and high-side configurations, offering versatility in circuit design.

VNS1NV04-E Змяненні, ключавыя словы

VNS1NV04-E Кошт

VNS1NV04-E Тэхнічная спецыфікацыя

VNS1NV04-E Малюнак

VNS1NV04-E PDF

VNS1NV04-E Тэхнічныя характарыстыкі

VNS1NV04-E Напружанне на выснове

VNS1NV04-E Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.