VNB10N07-E STMicroelectronics MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
VNB10N07-E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
VNB10N07-E Табліцы дадзеных(PDF)
Rds уключаны (тып) :
100 mOhm (Max)
Інтэрфейс :
On/Off
Абарона ад памылак :
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Асаблівасці :
-
Канфігурацыя вываду :
Low Side
Каэфіцыент - Уваход: Вывад :
1:1
Колькасць выхадаў :
1
Напружанне - нагрузка :
55V (Max)
Напружанне - сілкаванне (Vcc/Vdd) :
Not Required
Пакет / Чахол :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылады пастаўшчыка :
D2PAK
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
OMNIFET™, VIPower™
Ток - выхад (макс.) :
7A
Тып вываду :
N-Channel
Тып перамыкача :
General Purpose
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tube
Частка Статус :
Active
в наличии
62,423
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
VNB10N07-E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць VNB10N07-E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc VNB10N07-E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на VNB10N07-E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
VNB10N07-E Асаблівасці
VNB10N07-E is produced by STMicroelectronics, belongs to PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі.
VNB10N07-E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
VNB10N07-E - гэта PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
STMicroelectronics.
VNB10N07-E вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VNB10N07-E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VNB10N07-E (PDF), кошт VNB10N07-E, Распіноўка VNB10N07-E, кіраўніцтва VNB10N07-E і рашэнне на замену VNB10N07-E.
VNB10N07-E вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VNB10N07-E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VNB10N07-E (PDF), кошт VNB10N07-E, Распіноўка VNB10N07-E, кіраўніцтва VNB10N07-E і рашэнне на замену VNB10N07-E.
VNB10N07-E FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET is 70 volts.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET is 10 amperes.
3. Can the VNB10N07-E MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be used for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 0.085 ohms.
5. Is the VNB10N07-E MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET is 175°C.
7. Does the VNB10N07-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection.
8. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 2.5 volts.
9. Can the VNB10N07-E MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability.
10. What package type is used for the VNB10N07-E MOSFET?
The VNB10N07-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
The maximum drain-source voltage (VDS) for the VNB10N07-E MOSFET is 70 volts.
2. What is the continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the VNB10N07-E MOSFET is 10 amperes.
3. Can the VNB10N07-E MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be used for high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 0.085 ohms.
5. Is the VNB10N07-E MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications.
6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the VNB10N07-E MOSFET is 175°C.
7. Does the VNB10N07-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection.
8. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the VNB10N07-E MOSFET is typically 2.5 volts.
9. Can the VNB10N07-E MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Yes, the VNB10N07-E MOSFET can be operated in parallel to achieve higher current capability.
10. What package type is used for the VNB10N07-E MOSFET?
The VNB10N07-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
VNB10N07-E Змяненні, ключавыя словы
:
VNB10N07-E Кошт
VNB10N07-E Малюнак
VNB10N07-E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "VNB1"
