STH310N10F7-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы

Нумар вытворцы:

STH310N10F7-6

Вытворца:

STMicroelectronics

Катэгорыя прадукцыі:

Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя

Апісанне:

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

STH310N10F7-6 Табліцы дадзеных(PDF)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs :

2.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (макс.) :

±20V

Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :

3.8V @ 250µA

Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :

180nC @ 10V

Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :

100V

Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :

10V

Пакет / Чахол :

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Пакет прылады пастаўшчыка :

H2PAK-6

Працоўная тэмпература :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Рассейванне магутнасці (макс.) :

315W (Tc)

серыял :

DeepGATE™, STripFET™ VII

Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :

180A (Tc)

Тып FET :

N-Channel

Тып мацавання :

Surface Mount

Тэхналогія :

MOSFET (Metal Oxide)

Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :

12800pF @ 25V

Ўпакоўка :

Tape & Reel (TR)

Функцыя FET :

Частка Статус :

Active

в наличии

54,038

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

STH310N10F7-6 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць STH310N10F7-6 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc STH310N10F7-6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на STH310N10F7-6. Націсніце, каб атрымаць прапанову

STH310N10F7-6 Асаблівасці

STH310N10F7-6 is produced by STMicroelectronics, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.

STH310N10F7-6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

STH310N10F7-6 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя STMicroelectronics.
STH310N10F7-6 вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
STH310N10F7-6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных STH310N10F7-6 (PDF), кошт STH310N10F7-6, Распіноўка STH310N10F7-6, кіраўніцтва STH310N10F7-6 і рашэнне на замену STH310N10F7-6.

STH310N10F7-6 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) of the STH310N10F7-6 power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) of the STH310N10F7-6 power MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current (ID) rating of the STH310N10F7-6 power MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the STH310N10F7-6 power MOSFET is 110A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the STH310N10F7-6 power MOSFET at 10V gate-source voltage?
The on-state resistance (RDS(on)) of the STH310N10F7-6 power MOSFET at 10V gate-source voltage is 0.007 ohms.

4. Can the STH310N10F7-6 power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the STH310N10F7-6 power MOSFET is suitable for automotive applications.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) of the STH310N10F7-6 power MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the STH310N10F7-6 power MOSFET is 175°C.

6. Does the STH310N10F7-6 power MOSFET have a low input capacitance for high-speed switching applications?
Yes, the STH310N10F7-6 power MOSFET features low input capacitance for high-speed switching applications.

7. What is the gate threshold voltage (VGS(th)) of the STH310N10F7-6 power MOSFET?
The gate threshold voltage (VGS(th)) of the STH310N10F7-6 power MOSFET is typically 2.5V.

8. Is the STH310N10F7-6 power MOSFET RoHS compliant?
Yes, the STH310N10F7-6 power MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the total power dissipation (PD) of the STH310N10F7-6 power MOSFET?
The total power dissipation (PD) of the STH310N10F7-6 power MOSFET is 300W.

10. Does the STH310N10F7-6 power MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the STH310N10F7-6 power MOSFET is designed with built-in ESD protection.

STH310N10F7-6 Змяненні, ключавыя словы

STH310N10F7-6 Кошт

STH310N10F7-6 Тэхнічная спецыфікацыя

STH310N10F7-6 Малюнак

STH310N10F7-6 PDF

STH310N10F7-6 Тэхнічныя характарыстыкі

STH310N10F7-6 Напружанне на выснове

STH310N10F7-6 Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.