RUS100N02TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
RUS100N02TB
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
RUS100N02TB Табліцы дадзеных(PDF)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (макс.) :
±10V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
1V @ 1mA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
20V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
1.5V, 4.5V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOP
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta)
серыял :
-
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
10A (Ta)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Surface Mount
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
2250pF @ 10V
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
63,015
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
RUS100N02TB Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць RUS100N02TB больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc RUS100N02TB. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на RUS100N02TB. Націсніце, каб атрымаць прапанову
RUS100N02TB Асаблівасці
RUS100N02TB is produced by Rohm Semiconductor, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
RUS100N02TB Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
RUS100N02TB - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Rohm Semiconductor.
RUS100N02TB вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
RUS100N02TB кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных RUS100N02TB (PDF), кошт RUS100N02TB, Распіноўка RUS100N02TB, кіраўніцтва RUS100N02TB і рашэнне на замену RUS100N02TB.
RUS100N02TB вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
RUS100N02TB кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных RUS100N02TB (PDF), кошт RUS100N02TB, Распіноўка RUS100N02TB, кіраўніцтва RUS100N02TB і рашэнне на замену RUS100N02TB.
RUS100N02TB FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for RUS100N02TB?
The maximum drain-source voltage for RUS100N02TB is 20 volts.
2. What is the continuous drain current rating for RUS100N02TB?
The continuous drain current rating for RUS100N02TB is 100 amperes.
3. What is the on-state resistance for RUS100N02TB?
The on-state resistance for RUS100N02TB is 1.7 milliohms.
4. What is the gate threshold voltage for RUS100N02TB?
The gate threshold voltage for RUS100N02TB is typically 2.5 volts.
5. What is the maximum junction temperature for RUS100N02TB?
The maximum junction temperature for RUS100N02TB is 175 degrees Celsius.
6. What is the total power dissipation for RUS100N02TB?
The total power dissipation for RUS100N02TB is 300 watts.
7. What is the input capacitance for RUS100N02TB?
The input capacitance for RUS100N02TB is 6800 picofarads.
8. What is the output capacitance for RUS100N02TB?
The output capacitance for RUS100N02TB is 3200 picofarads.
9. What is the reverse transfer capacitance for RUS100N02TB?
The reverse transfer capacitance for RUS100N02TB is 400 picofarads.
10. What is the typical turn-on delay time for RUS100N02TB?
The typical turn-on delay time for RUS100N02TB is 16 nanoseconds.
The maximum drain-source voltage for RUS100N02TB is 20 volts.
2. What is the continuous drain current rating for RUS100N02TB?
The continuous drain current rating for RUS100N02TB is 100 amperes.
3. What is the on-state resistance for RUS100N02TB?
The on-state resistance for RUS100N02TB is 1.7 milliohms.
4. What is the gate threshold voltage for RUS100N02TB?
The gate threshold voltage for RUS100N02TB is typically 2.5 volts.
5. What is the maximum junction temperature for RUS100N02TB?
The maximum junction temperature for RUS100N02TB is 175 degrees Celsius.
6. What is the total power dissipation for RUS100N02TB?
The total power dissipation for RUS100N02TB is 300 watts.
7. What is the input capacitance for RUS100N02TB?
The input capacitance for RUS100N02TB is 6800 picofarads.
8. What is the output capacitance for RUS100N02TB?
The output capacitance for RUS100N02TB is 3200 picofarads.
9. What is the reverse transfer capacitance for RUS100N02TB?
The reverse transfer capacitance for RUS100N02TB is 400 picofarads.
10. What is the typical turn-on delay time for RUS100N02TB?
The typical turn-on delay time for RUS100N02TB is 16 nanoseconds.
RUS100N02TB Змяненні, ключавыя словы
:
RUS100N02TB Кошт
RUS100N02TB Малюнак
RUS100N02TB Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "RUS1"
