BD4960G-TR Rohm Semiconductor IC RESET CMOS 6.0V 5SSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
BD4960G-TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC RESET CMOS 6.0V 5SSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BD4960G-TR Табліцы дадзеных(PDF)
Выхад :
Push-Pull, Totem Pole
Колькасць кантраляваных напружанняў :
1
Напружанне - Парог :
6V
Пакет / Чахол :
SC-74A, SOT-753
Пакет прылады пастаўшчыка :
5-SSOP
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 105°C (TA)
серыял :
BD49xxx
Скінуць :
Active Low
Скінуць тайм-аўт :
-
Тып :
Voltage Detector
Тып мацавання :
Surface Mount
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частка Статус :
Active
в наличии
35,190
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BD4960G-TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BD4960G-TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BD4960G-TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BD4960G-TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BD4960G-TR Асаблівасці
BD4960G-TR is produced by Rohm Semiconductor, belongs to PMIC - Супервізары.
BD4960G-TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BD4960G-TR - гэта PMIC - Супервізары, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Rohm Semiconductor.
BD4960G-TR вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD4960G-TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD4960G-TR (PDF), кошт BD4960G-TR, Распіноўка BD4960G-TR, кіраўніцтва BD4960G-TR і рашэнне на замену BD4960G-TR.
BD4960G-TR вытворчасці Rohm Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BD4960G-TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BD4960G-TR (PDF), кошт BD4960G-TR, Распіноўка BD4960G-TR, кіраўніцтва BD4960G-TR і рашэнне на замену BD4960G-TR.
BD4960G-TR FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BD4960G-TR discrete semiconductor?
The maximum collector current (Ic) of the BD4960G-TR discrete semiconductor is 8A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR is 80V.
3. What is the power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C?
The power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C is 65W.
4. What is the DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage?
The DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage is typically 40 at Ic = 4A and Vce = 4V.
5. What is the storage temperature range for the BD4960G-TR?
The storage temperature range for the BD4960G-TR is -55°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR?
The thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR is 1.67°C/W.
7. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR?
The maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR is 150°C.
8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current?
The typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current is 1.2V at Ic = 4A.
9. What is the transition frequency (fT) of the BD4960G-TR?
The transition frequency (fT) of the BD4960G-TR is 4MHz.
10. What is the recommended mounting torque for the BD4960G-TR package?
The recommended mounting torque for the BD4960G-TR package is 0.5 Nm.
The maximum collector current (Ic) of the BD4960G-TR discrete semiconductor is 8A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR is 80V.
3. What is the power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C?
The power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C is 65W.
4. What is the DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage?
The DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage is typically 40 at Ic = 4A and Vce = 4V.
5. What is the storage temperature range for the BD4960G-TR?
The storage temperature range for the BD4960G-TR is -55°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR?
The thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR is 1.67°C/W.
7. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR?
The maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR is 150°C.
8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current?
The typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current is 1.2V at Ic = 4A.
9. What is the transition frequency (fT) of the BD4960G-TR?
The transition frequency (fT) of the BD4960G-TR is 4MHz.
10. What is the recommended mounting torque for the BD4960G-TR package?
The recommended mounting torque for the BD4960G-TR package is 0.5 Nm.
BD4960G-TR Змяненні, ключавыя словы
:
BD4960G-TR Кошт
BD4960G-TR Малюнак
BD4960G-TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BD49"
