6SD312EI Power Integrations MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
6SD312EI
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
6SD312EI Табліцы дадзеных(PDF)
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
-
Кіраваная канфігурацыя :
-
Колькасць драйвераў :
-
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
-
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
-
Тып варот :
-
Тып канала :
-
Тып мацавання :
-
Тып уводу :
-
Ўпакоўка :
-
Час нарастання/падзення (тып.) :
-
Частка Статус :
Last Time Buy
в наличии
33,620
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
6SD312EI Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 6SD312EI больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 6SD312EI. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 6SD312EI. Націсніце, каб атрымаць прапанову
6SD312EI Асаблівасці
6SD312EI is produced by Power Integrations, belongs to PMIC - драйверы Gate.
6SD312EI Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
6SD312EI - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Power Integrations.
6SD312EI вытворчасці Power Integrations можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
6SD312EI кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 6SD312EI (PDF), кошт 6SD312EI, Распіноўка 6SD312EI, кіраўніцтва 6SD312EI і рашэнне на замену 6SD312EI.
6SD312EI вытворчасці Power Integrations можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
6SD312EI кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 6SD312EI (PDF), кошт 6SD312EI, Распіноўка 6SD312EI, кіраўніцтва 6SD312EI і рашэнне на замену 6SD312EI.
6SD312EI FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor?
The maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A is 1.2V.
3. Can the 6SD312EI handle reverse voltages? If so, what is the maximum reverse voltage it can withstand?
Yes, the 6SD312EI can handle reverse voltages. The maximum reverse voltage it can withstand is 600V.
4. What is the recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor?
The recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the 6SD312EI have any built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the 6SD312EI has built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor?
The typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor is 0.5°C/W.
7. Is the 6SD312EI suitable for use in automotive applications?
Yes, the 6SD312EI is suitable for use in automotive applications.
8. What is the maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms?
The maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms is 300A.
9. Can the 6SD312EI be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 6SD312EI can be used in parallel configurations for higher current applications.
10. What is the typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs?
The typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs is 35ns.
The maximum operating temperature for the 6SD312EI semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A?
The typical forward voltage drop for the 6SD312EI at a current of 10A is 1.2V.
3. Can the 6SD312EI handle reverse voltages? If so, what is the maximum reverse voltage it can withstand?
Yes, the 6SD312EI can handle reverse voltages. The maximum reverse voltage it can withstand is 600V.
4. What is the recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor?
The recommended storage temperature range for the 6SD312EI semiconductor is -55°C to 175°C.
5. Does the 6SD312EI have any built-in protection features against overcurrent or overvoltage conditions?
Yes, the 6SD312EI has built-in protection features against overcurrent and overvoltage conditions.
6. What is the typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor?
The typical junction-to-case thermal resistance for the 6SD312EI semiconductor is 0.5°C/W.
7. Is the 6SD312EI suitable for use in automotive applications?
Yes, the 6SD312EI is suitable for use in automotive applications.
8. What is the maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms?
The maximum forward surge current rating for the 6SD312EI at a pulse width of 10ms is 300A.
9. Can the 6SD312EI be used in parallel configurations for higher current applications?
Yes, the 6SD312EI can be used in parallel configurations for higher current applications.
10. What is the typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs?
The typical reverse recovery time for the 6SD312EI at a di/dt of 100A/μs is 35ns.
6SD312EI Змяненні, ключавыя словы
:
6SD312EI Кошт
6SD312EI Малюнак
6SD312EI Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1