N25S830HAS22I ON Semiconductor IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
N25S830HAS22I
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
N25S830HAS22I Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
SPI
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOIC
Памер памяці :
256Kb (32K x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
20MHz
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Volatile
Тэхналогія :
SRAM
Ўпакоўка :
Tube
Фармат памяці :
SRAM
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
39,670
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
N25S830HAS22I Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць N25S830HAS22I больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc N25S830HAS22I. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на N25S830HAS22I. Націсніце, каб атрымаць прапанову
N25S830HAS22I Асаблівасці
N25S830HAS22I is produced by ON Semiconductor, belongs to аб'ём памяці.
N25S830HAS22I Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
N25S830HAS22I - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
N25S830HAS22I вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25S830HAS22I кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25S830HAS22I (PDF), кошт N25S830HAS22I, Распіноўка N25S830HAS22I, кіраўніцтва N25S830HAS22I і рашэнне на замену N25S830HAS22I.
N25S830HAS22I вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25S830HAS22I кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25S830HAS22I (PDF), кошт N25S830HAS22I, Распіноўка N25S830HAS22I, кіраўніцтва N25S830HAS22I і рашэнне на замену N25S830HAS22I.
N25S830HAS22I FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the N25S830HAS22I discrete semiconductor?
The maximum operating temperature of the N25S830HAS22I discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the N25S830HAS22I at a specified current?
The typical forward voltage drop for the N25S830HAS22I at a specified current is 0.7V.
3. Can the N25S830HAS22I handle high-frequency switching applications?
Yes, the N25S830HAS22I is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
4. What is the maximum continuous forward current rating of the N25S830HAS22I?
The maximum continuous forward current rating of the N25S830HAS22I is 30A.
5. Does the N25S830HAS22I have built-in protection features against overcurrent or overvoltage events?
Yes, the N25S830HAS22I is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage events.
6. What is the typical reverse recovery time of the N25S830HAS22I?
The typical reverse recovery time of the N25S830HAS22I is 35ns.
7. Is the N25S830HAS22I suitable for automotive applications?
Yes, the N25S830HAS22I is suitable for use in automotive applications.
8. What is the package type of the N25S830HAS22I discrete semiconductor?
The N25S830HAS22I discrete semiconductor is available in a TO-220 package.
9. Can the N25S830HAS22I be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the N25S830HAS22I can be used in parallel to increase its current handling capability.
10. What are the recommended storage conditions for the N25S830HAS22I?
The recommended storage conditions for the N25S830HAS22I include a temperature range of -55°C to 150°C and a humidity level below 75%.
The maximum operating temperature of the N25S830HAS22I discrete semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the N25S830HAS22I at a specified current?
The typical forward voltage drop for the N25S830HAS22I at a specified current is 0.7V.
3. Can the N25S830HAS22I handle high-frequency switching applications?
Yes, the N25S830HAS22I is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
4. What is the maximum continuous forward current rating of the N25S830HAS22I?
The maximum continuous forward current rating of the N25S830HAS22I is 30A.
5. Does the N25S830HAS22I have built-in protection features against overcurrent or overvoltage events?
Yes, the N25S830HAS22I is equipped with built-in protection features against overcurrent and overvoltage events.
6. What is the typical reverse recovery time of the N25S830HAS22I?
The typical reverse recovery time of the N25S830HAS22I is 35ns.
7. Is the N25S830HAS22I suitable for automotive applications?
Yes, the N25S830HAS22I is suitable for use in automotive applications.
8. What is the package type of the N25S830HAS22I discrete semiconductor?
The N25S830HAS22I discrete semiconductor is available in a TO-220 package.
9. Can the N25S830HAS22I be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the N25S830HAS22I can be used in parallel to increase its current handling capability.
10. What are the recommended storage conditions for the N25S830HAS22I?
The recommended storage conditions for the N25S830HAS22I include a temperature range of -55°C to 150°C and a humidity level below 75%.
N25S830HAS22I Змяненні, ключавыя словы
:
N25S830HAS22I Кошт
N25S830HAS22I Малюнак
N25S830HAS22I Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "N25S"
