MUN5211T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы

Нумар вытворцы:

MUN5211T1G

Вытворца:

ON Semiconductor

Катэгорыя прадукцыі:

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя

Апісанне:

TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

MUN5211T1G Табліцы дадзеных(PDF)

Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :

35 @ 5mA, 10V

Магутнасць - Макс :

202mW

Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :

50V

Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :

250mV @ 300µA, 10mA

Пакет / Чахол :

SC-70, SOT-323

Пакет прылады пастаўшчыка :

SC-70-3 (SOT323)

Рэзістар - база (R1) :

10 kOhms

Рэзістар - база эмітэра (R2) :

10 kOhms

серыял :

Ток - адсечка калектара (макс.) :

500nA

Ток - калектар (Ic) (макс.) :

100mA

Тып мацавання :

Surface Mount

Тып транзістара :

NPN - Pre-Biased

Ўпакоўка :

Tape & Reel (TR)

Частата - Пераход :

Частка Статус :

Active

в наличии

56,009

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

MUN5211T1G Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MUN5211T1G больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MUN5211T1G. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MUN5211T1G. Націсніце, каб атрымаць прапанову

MUN5211T1G Асаблівасці

MUN5211T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя.

MUN5211T1G Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

MUN5211T1G - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя ON Semiconductor.
MUN5211T1G вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MUN5211T1G кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MUN5211T1G (PDF), кошт MUN5211T1G, Распіноўка MUN5211T1G, кіраўніцтва MUN5211T1G і рашэнне на замену MUN5211T1G.

MUN5211T1G FAQ

1. What is the maximum forward voltage of MUN5211T1G?
The maximum forward voltage of MUN5211T1G is 1V.

2. What is the maximum reverse voltage of MUN5211T1G?
The maximum reverse voltage of MUN5211T1G is 50V.

3. What is the maximum continuous collector current of MUN5211T1G?
The maximum continuous collector current of MUN5211T1G is 100mA.

4. What is the power dissipation of MUN5211T1G?
The power dissipation of MUN5211T1G is 225mW.

5. What is the thermal resistance of MUN5211T1G?
The thermal resistance of MUN5211T1G is 357°C/W.

6. What is the storage temperature range of MUN5211T1G?
The storage temperature range of MUN5211T1G is -55°C to +150°C.

7. What is the operating temperature range of MUN5211T1G?
The operating temperature range of MUN5211T1G is -55°C to +150°C.

8. What is the DC current gain of MUN5211T1G?
The DC current gain of MUN5211T1G is 100 minimum.

9. What is the transition frequency of MUN5211T1G?
The transition frequency of MUN5211T1G is 250MHz.

10. What is the packaging type of MUN5211T1G?
MUN5211T1G comes in a SOT-23 package.

MUN5211T1G Змяненні, ключавыя словы

MUN5211T1G Кошт

MUN5211T1G Тэхнічная спецыфікацыя

MUN5211T1G Малюнак

MUN5211T1G PDF

MUN5211T1G Тэхнічныя характарыстыкі

MUN5211T1G Напружанне на выснове

MUN5211T1G Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.