LAF0001N ON Semiconductor IC PWR CONV TBD 8-DIP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
LAF0001N
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC PWR CONV TBD 8-DIP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-DIP
Працоўная тэмпература :
-
Прыкладанні :
-
серыял :
Ток - Забеспячэнне :
-
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Tube
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
38,410
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
LAF0001N Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць LAF0001N больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc LAF0001N. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на LAF0001N. Націсніце, каб атрымаць прапанову
LAF0001N Асаблівасці
LAF0001N is produced by ON Semiconductor, belongs to PMIC - Упраўленне харчаваннем - Спецыялізаваны.
LAF0001N Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
LAF0001N - гэта PMIC - Упраўленне харчаваннем - Спецыялізаваны, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
LAF0001N вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
LAF0001N кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных LAF0001N (PDF), кошт LAF0001N, Распіноўка LAF0001N, кіраўніцтва LAF0001N і рашэнне на замену LAF0001N.
LAF0001N вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
LAF0001N кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных LAF0001N (PDF), кошт LAF0001N, Распіноўка LAF0001N, кіраўніцтва LAF0001N і рашэнне на замену LAF0001N.
LAF0001N FAQ
:
1. Q: What is the maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET is 100V.
2. Q: What is the continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET?
A: The continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET is 70A.
3. Q: What is the on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET?
A: The on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET is typically 4.5mΩ.
4. Q: What is the gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET?
A: The gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET is typically 2.5V.
5. Q: What is the maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET is 175°C.
6. Q: What is the input capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The input capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 5200pF.
7. Q: What is the output capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The output capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 600pF.
8. Q: What is the reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 300pF.
9. Q: What is the total gate charge of the LAF0001N power MOSFET?
A: The total gate charge of the LAF0001N power MOSFET is typically 60nC.
10. Q: What is the diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET?
A: The diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET is typically 1.3V.
A: The maximum drain-source voltage for the LAF0001N power MOSFET is 100V.
2. Q: What is the continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET?
A: The continuous drain current rating of the LAF0001N power MOSFET is 70A.
3. Q: What is the on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET?
A: The on-resistance (RDS(on)) of the LAF0001N power MOSFET is typically 4.5mΩ.
4. Q: What is the gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET?
A: The gate threshold voltage of the LAF0001N power MOSFET is typically 2.5V.
5. Q: What is the maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET?
A: The maximum junction temperature for the LAF0001N power MOSFET is 175°C.
6. Q: What is the input capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The input capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 5200pF.
7. Q: What is the output capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The output capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 600pF.
8. Q: What is the reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET?
A: The reverse transfer capacitance of the LAF0001N power MOSFET is typically 300pF.
9. Q: What is the total gate charge of the LAF0001N power MOSFET?
A: The total gate charge of the LAF0001N power MOSFET is typically 60nC.
10. Q: What is the diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET?
A: The diode forward voltage of the integrated body diode in the LAF0001N power MOSFET is typically 1.3V.
LAF0001N Змяненні, ключавыя словы
:
LAF0001N Кошт
LAF0001N Малюнак
LAF0001N Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1