KSD227GBU ON Semiconductor TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
KSD227GBU
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
200 @ 50mA, 1V
Магутнасць - Макс :
400mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
25V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
400mV @ 30mA, 300mA
Пакет / Чахол :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-92-3
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
100nA (ICBO)
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
300mA
Тып мацавання :
Through Hole
Тып транзістара :
NPN
Ўпакоўка :
Bulk
Частата - Пераход :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
35,547
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
KSD227GBU Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць KSD227GBU больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc KSD227GBU. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на KSD227GBU. Націсніце, каб атрымаць прапанову
KSD227GBU Асаблівасці
KSD227GBU is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя.
KSD227GBU Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
KSD227GBU - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
ON Semiconductor.
KSD227GBU вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
KSD227GBU кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных KSD227GBU (PDF), кошт KSD227GBU, Распіноўка KSD227GBU, кіраўніцтва KSD227GBU і рашэнне на замену KSD227GBU.
KSD227GBU вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
KSD227GBU кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных KSD227GBU (PDF), кошт KSD227GBU, Распіноўка KSD227GBU, кіраўніцтва KSD227GBU і рашэнне на замену KSD227GBU.
KSD227GBU FAQ
:
1. What is the maximum collector current of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector current of the KSD227GBU transistor is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor is 400V.
3. What is the power dissipation of the KSD227GBU transistor?
The power dissipation of the KSD227GBU transistor is 25W.
4. What is the gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor?
The gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
5. What is the maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor?
The maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor is 150°C.
6. What is the typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor?
The typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor is 1.2V.
7. What is the thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor?
The thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor is 3.125°C/W.
8. What is the storage temperature range of the KSD227GBU transistor?
The storage temperature range of the KSD227GBU transistor is -55°C to 150°C.
9. What is the transition frequency of the KSD227GBU transistor?
The transition frequency of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
10. What is the maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor?
The maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor is 25W.
The maximum collector current of the KSD227GBU transistor is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor?
The maximum collector-emitter voltage rating of the KSD227GBU transistor is 400V.
3. What is the power dissipation of the KSD227GBU transistor?
The power dissipation of the KSD227GBU transistor is 25W.
4. What is the gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor?
The gain bandwidth product of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
5. What is the maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor?
The maximum junction temperature of the KSD227GBU transistor is 150°C.
6. What is the typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor?
The typical base-emitter saturation voltage of the KSD227GBU transistor is 1.2V.
7. What is the thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor?
The thermal resistance junction to case of the KSD227GBU transistor is 3.125°C/W.
8. What is the storage temperature range of the KSD227GBU transistor?
The storage temperature range of the KSD227GBU transistor is -55°C to 150°C.
9. What is the transition frequency of the KSD227GBU transistor?
The transition frequency of the KSD227GBU transistor is 30MHz.
10. What is the maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor?
The maximum allowable power dissipation at 25°C ambient temperature for the KSD227GBU transistor is 25W.
KSD227GBU Змяненні, ключавыя словы
:
KSD227GBU Кошт
KSD227GBU Малюнак
KSD227GBU Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "KSD2"