FDG6301N ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы

Нумар вытворцы:

FDG6301N

Вытворца:

ON Semiconductor

Катэгорыя прадукцыі:

Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы

Апісанне:

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

FDG6301N Табліцы дадзеных(PDF)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs :

4 Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :

1.5V @ 250µA

Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :

0.4nC @ 4.5V

Магутнасць - Макс :

300mW

Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :

25V

Пакет / Чахол :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Пакет прылады пастаўшчыка :

SC-70-6

Працоўная тэмпература :

-55°C ~ 150°C (TJ)

серыял :

Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :

220mA

Тып FET :

2 N-Channel (Dual)

Тып мацавання :

Surface Mount

Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :

9.5pF @ 10V

Ўпакоўка :

Tape & Reel (TR)

Функцыя FET :

Logic Level Gate

Частка Статус :

Active

в наличии

21,997

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

FDG6301N Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць FDG6301N больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc FDG6301N. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на FDG6301N. Націсніце, каб атрымаць прапанову

FDG6301N Асаблівасці

FDG6301N is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы.

FDG6301N Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

FDG6301N - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - масівы, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя ON Semiconductor.
FDG6301N вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
FDG6301N кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных FDG6301N (PDF), кошт FDG6301N, Распіноўка FDG6301N, кіраўніцтва FDG6301N і рашэнне на замену FDG6301N.

FDG6301N FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for FDG6301N?
The maximum drain-source voltage for FDG6301N is 20V.

2. What is the continuous drain current rating of FDG6301N?
The continuous drain current rating of FDG6301N is 3.5A.

3. What is the on-resistance of FDG6301N at a specific gate-source voltage?
At a gate-source voltage of 4.5V, the on-resistance of FDG6301N is typically 25mΩ.

4. Can FDG6301N be used in automotive applications?
Yes, FDG6301N is suitable for automotive applications.

5. What is the typical input capacitance of FDG6301N?
The typical input capacitance of FDG6301N is 1100pF.

6. Does FDG6301N have a low threshold voltage?
Yes, FDG6301N has a low threshold voltage typically around 1V.

7. What is the maximum junction temperature for FDG6301N?
The maximum junction temperature for FDG6301N is 150°C.

8. Is FDG6301N RoHS compliant?
Yes, FDG6301N is RoHS compliant.

9. What is the typical turn-on time of FDG6301N?
The typical turn-on time of FDG6301N is 10ns.

10. Can FDG6301N be used in power management applications?
Yes, FDG6301N is suitable for power management applications.

FDG6301N Змяненні, ключавыя словы

FDG6301N Кошт

FDG6301N Тэхнічная спецыфікацыя

FDG6301N Малюнак

FDG6301N PDF

FDG6301N Тэхнічныя характарыстыкі

FDG6301N Напружанне на выснове

FDG6301N Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.