FCP190N65S3 ON Semiconductor MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы     
Нумар вытворцы:
FCP190N65S3
Вытворца:
Апісанне:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Стан RoHs:
Rds On (макс.) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (макс.) :
±30V
Vgs(th) (макс.) @ ідэнтыфікатар :
4.5V @ 1.7mA
Зарад варот (Qg) (макс.) @ Vgs :
33nC @ 10V
Напружанне адток да крыніцы (Vdss) :
650V
Напружанне прывада (макс. Rds уключана, мінім. Rds уключана) :
10V
Пакет / Чахол :
TO-220-3
Пакет прылады пастаўшчыка :
TO-220-3
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
144W (Tc)
серыял :
SuperFET® III
Ток - бесперапынны сліў (Id) пры 25°C :
17A (Tc)
Тып FET :
N-Channel
Тып мацавання :
Through Hole
Тэхналогія :
MOSFET (Metal Oxide)
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds :
1350pF @ 400V
Ўпакоўка :
-
Функцыя FET :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
28,950
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
 

FCP190N65S3 Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць FCP190N65S3 больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc FCP190N65S3. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на FCP190N65S3. Націсніце, каб атрымаць прапанову
 

FCP190N65S3 Асаблівасці

FCP190N65S3 is produced by ON Semiconductor, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя.
  

FCP190N65S3 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

:
FCP190N65S3 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя ON Semiconductor.
FCP190N65S3 вытворчасці ON Semiconductor можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
FCP190N65S3 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных FCP190N65S3 (PDF), кошт FCP190N65S3, Распіноўка FCP190N65S3, кіраўніцтва FCP190N65S3 і рашэнне на замену FCP190N65S3.
  

FCP190N65S3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for FCP190N65S3?
The maximum drain-source voltage for FCP190N65S3 is 650 volts.

2. What is the continuous drain current rating for FCP190N65S3?
The continuous drain current rating for FCP190N65S3 is 190 amperes.

3. What is the on-state resistance for FCP190N65S3?
The on-state resistance for FCP190N65S3 is 0.019 ohms.

4. What is the gate threshold voltage for FCP190N65S3?
The gate threshold voltage for FCP190N65S3 is typically 4 volts.

5. What is the maximum junction temperature for FCP190N65S3?
The maximum junction temperature for FCP190N65S3 is 150 degrees Celsius.

6. What is the total power dissipation for FCP190N65S3?
The total power dissipation for FCP190N65S3 is 520 watts.

7. What is the input capacitance for FCP190N65S3?
The input capacitance for FCP190N65S3 is 9200 picofarads.

8. What is the output capacitance for FCP190N65S3?
The output capacitance for FCP190N65S3 is 380 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance for FCP190N65S3?
The reverse transfer capacitance for FCP190N65S3 is 180 picofarads.

10. What is the gate charge for FCP190N65S3?
The gate charge for FCP190N65S3 is 320 nanocoulombs.
  

FCP190N65S3 Змяненні, ключавыя словы

:

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

 Змяшчае прадукты серыі "FCP1"