BGD814,112 NXP USA Inc. IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
BGD814,112
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC AMP GAIN PWR 860MHZ SOT115J
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BGD814,112 Табліцы дадзеных(PDF)
-3db Прапускная здольнасць :
-
Колькасць контураў :
1
Напружанне - сілкаванне, адзінарны/двайны (±) :
-
Пакет / Чахол :
SOT-115J
Пакет прылады пастаўшчыка :
SOT115J
Прыкладанні :
CATV
серыял :
-
Ток - выхад / канал :
-
Ток - Забеспячэнне :
395mA
Тып вываду :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
Bulk
Хуткасць нарастання :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
25,603
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BGD814,112 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BGD814,112 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BGD814,112. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BGD814,112. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BGD814,112 Асаблівасці
BGD814,112 is produced by NXP USA Inc., belongs to Лінейныя - Узмацняльнікі - Відэамодулі і модулі.
BGD814,112 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BGD814,112 - гэта Лінейныя - Узмацняльнікі - Відэамодулі і модулі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
NXP USA Inc..
BGD814,112 вытворчасці NXP USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BGD814,112 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BGD814,112 (PDF), кошт BGD814,112, Распіноўка BGD814,112, кіраўніцтва BGD814,112 і рашэнне на замену BGD814,112.
BGD814,112 вытворчасці NXP USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BGD814,112 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BGD814,112 (PDF), кошт BGD814,112, Распіноўка BGD814,112, кіраўніцтва BGD814,112 і рашэнне на замену BGD814,112.
BGD814,112 FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (IC) for BGD814,112?
The maximum continuous collector current (IC) for BGD814,112 is 1 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112 is 80 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112?
The maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112 is 12 W.
4. What is the DC current gain (hFE) for BGD814,112?
The DC current gain (hFE) for BGD814,112 is typically 100.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112 is 83 °C/W.
6. What is the storage temperature range for BGD814,112?
The storage temperature range for BGD814,112 is -65°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for BGD814,112?
The operating temperature range for BGD814,112 is -55°C to +150°C.
8. What is the input capacitance (Ciss) for BGD814,112?
The input capacitance (Ciss) for BGD814,112 is 1800 pF.
9. What is the output capacitance (Coss) for BGD814,112?
The output capacitance (Coss) for BGD814,112 is 250 pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112?
The reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112 is 50 pF.
The maximum continuous collector current (IC) for BGD814,112 is 1 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112?
The maximum collector-emitter voltage (VCE) for BGD814,112 is 80 V.
3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112?
The maximum power dissipation (Ptot) for BGD814,112 is 12 W.
4. What is the DC current gain (hFE) for BGD814,112?
The DC current gain (hFE) for BGD814,112 is typically 100.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for BGD814,112 is 83 °C/W.
6. What is the storage temperature range for BGD814,112?
The storage temperature range for BGD814,112 is -65°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for BGD814,112?
The operating temperature range for BGD814,112 is -55°C to +150°C.
8. What is the input capacitance (Ciss) for BGD814,112?
The input capacitance (Ciss) for BGD814,112 is 1800 pF.
9. What is the output capacitance (Coss) for BGD814,112?
The output capacitance (Coss) for BGD814,112 is 250 pF.
10. What is the reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112?
The reverse transfer capacitance (Crss) for BGD814,112 is 50 pF.
BGD814,112 Змяненні, ключавыя словы
:
BGD814,112 Кошт
BGD814,112 Малюнак
BGD814,112 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BGD8"
