BGD712C,112 NXP USA Inc. IC AMP GAIN PWR 550MHZ SOT115J
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
BGD712C,112
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC AMP GAIN PWR 550MHZ SOT115J
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
BGD712C,112 Табліцы дадзеных(PDF)
-3db Прапускная здольнасць :
-
Колькасць контураў :
1
Напружанне - сілкаванне, адзінарны/двайны (±) :
-
Пакет / Чахол :
SOT-115J
Пакет прылады пастаўшчыка :
SOT115J
Прыкладанні :
CATV
серыял :
-
Ток - выхад / канал :
-
Ток - Забеспячэнне :
395mA
Тып вываду :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
Tube
Хуткасць нарастання :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
34,157
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
BGD712C,112 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць BGD712C,112 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc BGD712C,112. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на BGD712C,112. Націсніце, каб атрымаць прапанову
BGD712C,112 Асаблівасці
BGD712C,112 is produced by NXP USA Inc., belongs to Лінейныя - Узмацняльнікі - Відэамодулі і модулі.
BGD712C,112 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
BGD712C,112 - гэта Лінейныя - Узмацняльнікі - Відэамодулі і модулі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
NXP USA Inc..
BGD712C,112 вытворчасці NXP USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BGD712C,112 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BGD712C,112 (PDF), кошт BGD712C,112, Распіноўка BGD712C,112, кіраўніцтва BGD712C,112 і рашэнне на замену BGD712C,112.
BGD712C,112 вытворчасці NXP USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
BGD712C,112 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных BGD712C,112 (PDF), кошт BGD712C,112, Распіноўка BGD712C,112, кіраўніцтва BGD712C,112 і рашэнне на замену BGD712C,112.
BGD712C,112 FAQ
:
1. What is the maximum collector current of BGD712C,112?
The maximum collector current of BGD712C,112 is 2 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage of BGD712C,112?
The maximum collector-emitter voltage of BGD712C,112 is 700 V.
3. What is the power dissipation of BGD712C,112?
The power dissipation of BGD712C,112 is 125 W.
4. What is the DC current gain of BGD712C,112?
The DC current gain of BGD712C,112 is 25.
5. What is the storage temperature range of BGD712C,112?
The storage temperature range of BGD712C,112 is -65°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to case of BGD712C,112?
The thermal resistance junction to case of BGD712C,112 is 0.5 °C/W.
7. What is the gate-emitter threshold voltage of BGD712C,112?
The gate-emitter threshold voltage of BGD712C,112 is 3 V.
8. What is the input capacitance of BGD712C,112?
The input capacitance of BGD712C,112 is 1800 pF.
9. What is the output capacitance of BGD712C,112?
The output capacitance of BGD712C,112 is 300 pF.
10. What is the reverse transfer capacitance of BGD712C,112?
The reverse transfer capacitance of BGD712C,112 is 50 pF.
The maximum collector current of BGD712C,112 is 2 A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage of BGD712C,112?
The maximum collector-emitter voltage of BGD712C,112 is 700 V.
3. What is the power dissipation of BGD712C,112?
The power dissipation of BGD712C,112 is 125 W.
4. What is the DC current gain of BGD712C,112?
The DC current gain of BGD712C,112 is 25.
5. What is the storage temperature range of BGD712C,112?
The storage temperature range of BGD712C,112 is -65°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to case of BGD712C,112?
The thermal resistance junction to case of BGD712C,112 is 0.5 °C/W.
7. What is the gate-emitter threshold voltage of BGD712C,112?
The gate-emitter threshold voltage of BGD712C,112 is 3 V.
8. What is the input capacitance of BGD712C,112?
The input capacitance of BGD712C,112 is 1800 pF.
9. What is the output capacitance of BGD712C,112?
The output capacitance of BGD712C,112 is 300 pF.
10. What is the reverse transfer capacitance of BGD712C,112?
The reverse transfer capacitance of BGD712C,112 is 50 pF.
BGD712C,112 Змяненні, ключавыя словы
:
BGD712C,112 Кошт
BGD712C,112 Малюнак
BGD712C,112 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "BGD7"
