PUMH1,115 Nexperia USA Inc. TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
PUMH1,115
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
PUMH1,115 Табліцы дадзеных(PDF)
Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce :
60 @ 5mA, 5V
Магутнасць - Макс :
300mW
Напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.) :
50V
Насычэнне Vce (макс.) @ Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 10mA
Пакет / Чахол :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет прылады пастаўшчыка :
6-TSSOP
Рэзістар - база (R1) :
22 kOhms
Рэзістар - база эмітэра (R2) :
22 kOhms
серыял :
-
Ток - адсечка калектара (макс.) :
100nA
Ток - калектар (Ic) (макс.) :
100mA
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып транзістара :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Частата - Пераход :
230MHz
Частка Статус :
Active
в наличии
38,564
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
PUMH1,115 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць PUMH1,115 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc PUMH1,115. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на PUMH1,115. Націсніце, каб атрымаць прапанову
PUMH1,115 Асаблівасці
PUMH1,115 is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя.
PUMH1,115 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
PUMH1,115 - гэта Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, папярэдне прадузятыя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Nexperia USA Inc..
PUMH1,115 вытворчасці Nexperia USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
PUMH1,115 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных PUMH1,115 (PDF), кошт PUMH1,115, Распіноўка PUMH1,115, кіраўніцтва PUMH1,115 і рашэнне на замену PUMH1,115.
PUMH1,115 вытворчасці Nexperia USA Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
PUMH1,115 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных PUMH1,115 (PDF), кошт PUMH1,115, Распіноўка PUMH1,115, кіраўніцтва PUMH1,115 і рашэнне на замену PUMH1,115.
PUMH1,115 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) for the PUMH1,115 transistor?
The maximum collector current (Ic) for the PUMH1,115 transistor is 100 mA.
2. What is the maximum power dissipation (Ptot) for the PUMH1,115 transistor?
The maximum power dissipation (Ptot) for the PUMH1,115 transistor is 225 mW.
3. What is the DC current gain (hFE) range for the PUMH1,115 transistor?
The DC current gain (hFE) range for the PUMH1,115 transistor is 120 to 400.
4. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for the PUMH1,115 transistor?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for the PUMH1,115 transistor is 40 V.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the PUMH1,115 transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the PUMH1,115 transistor is 625 °C/W.
6. What is the storage temperature range for the PUMH1,115 transistor?
The storage temperature range for the PUMH1,115 transistor is -65°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for the PUMH1,115 transistor?
The operating temperature range for the PUMH1,115 transistor is -55°C to +150°C.
8. What is the base-emitter voltage (VBE) for the PUMH1,115 transistor at a specified collector current?
The base-emitter voltage (VBE) for the PUMH1,115 transistor at a specified collector current is typically 0.95 V.
9. What is the transition frequency (fT) for the PUMH1,115 transistor?
The transition frequency (fT) for the PUMH1,115 transistor is 300 MHz.
10. What is the package type for the PUMH1,115 transistor?
The package type for the PUMH1,115 transistor is SOT363.
The maximum collector current (Ic) for the PUMH1,115 transistor is 100 mA.
2. What is the maximum power dissipation (Ptot) for the PUMH1,115 transistor?
The maximum power dissipation (Ptot) for the PUMH1,115 transistor is 225 mW.
3. What is the DC current gain (hFE) range for the PUMH1,115 transistor?
The DC current gain (hFE) range for the PUMH1,115 transistor is 120 to 400.
4. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) for the PUMH1,115 transistor?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) for the PUMH1,115 transistor is 40 V.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the PUMH1,115 transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the PUMH1,115 transistor is 625 °C/W.
6. What is the storage temperature range for the PUMH1,115 transistor?
The storage temperature range for the PUMH1,115 transistor is -65°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for the PUMH1,115 transistor?
The operating temperature range for the PUMH1,115 transistor is -55°C to +150°C.
8. What is the base-emitter voltage (VBE) for the PUMH1,115 transistor at a specified collector current?
The base-emitter voltage (VBE) for the PUMH1,115 transistor at a specified collector current is typically 0.95 V.
9. What is the transition frequency (fT) for the PUMH1,115 transistor?
The transition frequency (fT) for the PUMH1,115 transistor is 300 MHz.
10. What is the package type for the PUMH1,115 transistor?
The package type for the PUMH1,115 transistor is SOT363.
PUMH1,115 Змяненні, ключавыя словы
:
PUMH1,115 Кошт
PUMH1,115 Малюнак
PUMH1,115 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "PUMH"
