1N647-1 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N647-1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
1N647-1 Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
400V
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1V @ 400mA
Пакет / Чахол :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылады пастаўшчыка :
DO-35
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-65°C ~ 175°C
серыял :
-
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
50nA @ 400V
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
400mA
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Bulk
хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
Standard
в наличии
47,139
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N647-1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N647-1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N647-1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N647-1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N647-1 Асаблівасці
1N647-1 is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
1N647-1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N647-1 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N647-1 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N647-1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N647-1 (PDF), кошт 1N647-1, Распіноўка 1N647-1, кіраўніцтва 1N647-1 і рашэнне на замену 1N647-1.
1N647-1 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N647-1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N647-1 (PDF), кошт 1N647-1, Распіноўка 1N647-1, кіраўніцтва 1N647-1 і рашэнне на замену 1N647-1.
1N647-1 FAQ
:
1. What is the maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N647-1 semiconductor?
The maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N647-1 semiconductor is 1000 volts.
2. What is the average forward current (Ifav) rating of the 1N647-1 diode?
The average forward current (Ifav) rating of the 1N647-1 diode is 6 amperes.
3. What is the peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N647-1 semiconductor?
The peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N647-1 semiconductor is 150 amperes.
4. Can the 1N647-1 diode handle high temperature environments?
Yes, the 1N647-1 diode is designed to operate effectively in high temperature environments.
5. What is the typical junction capacitance (Cj) of the 1N647-1 semiconductor?
The typical junction capacitance (Cj) of the 1N647-1 semiconductor is 50 picofarads.
6. Is the 1N647-1 diode suitable for fast switching applications?
Yes, the 1N647-1 diode is suitable for fast switching applications due to its fast recovery time.
7. What is the maximum forward voltage drop (Vf) of the 1N647-1 diode at a specified current?
The maximum forward voltage drop (Vf) of the 1N647-1 diode at a specified current is 1.1 volts.
8. Does the 1N647-1 semiconductor have a low leakage current?
Yes, the 1N647-1 semiconductor has a low leakage current, making it suitable for precision applications.
9. What is the operating temperature range for the 1N647-1 diode?
The operating temperature range for the 1N647-1 diode is -65°C to +175°C.
10. Is the 1N647-1 diode RoHS compliant?
Yes, the 1N647-1 diode is RoHS compliant, meeting environmental standards for hazardous substances.
The maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N647-1 semiconductor is 1000 volts.
2. What is the average forward current (Ifav) rating of the 1N647-1 diode?
The average forward current (Ifav) rating of the 1N647-1 diode is 6 amperes.
3. What is the peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N647-1 semiconductor?
The peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N647-1 semiconductor is 150 amperes.
4. Can the 1N647-1 diode handle high temperature environments?
Yes, the 1N647-1 diode is designed to operate effectively in high temperature environments.
5. What is the typical junction capacitance (Cj) of the 1N647-1 semiconductor?
The typical junction capacitance (Cj) of the 1N647-1 semiconductor is 50 picofarads.
6. Is the 1N647-1 diode suitable for fast switching applications?
Yes, the 1N647-1 diode is suitable for fast switching applications due to its fast recovery time.
7. What is the maximum forward voltage drop (Vf) of the 1N647-1 diode at a specified current?
The maximum forward voltage drop (Vf) of the 1N647-1 diode at a specified current is 1.1 volts.
8. Does the 1N647-1 semiconductor have a low leakage current?
Yes, the 1N647-1 semiconductor has a low leakage current, making it suitable for precision applications.
9. What is the operating temperature range for the 1N647-1 diode?
The operating temperature range for the 1N647-1 diode is -65°C to +175°C.
10. Is the 1N647-1 diode RoHS compliant?
Yes, the 1N647-1 diode is RoHS compliant, meeting environmental standards for hazardous substances.
1N647-1 Змяненні, ключавыя словы
:
1N647-1 Кошт
1N647-1 Малюнак
1N647-1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "1N64"
