1N6030B Microsemi Corporation DIODE ZENER 180V 500MW DO35
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N6030B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
DIODE ZENER 180V 500MW DO35
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Імпеданс (макс.) (Zzt) :
1700 Ohms
Магутнасць - Макс :
500mW
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
1.1V @ 200mA
Напружанне - стабілітрон (ном.) (Vz) :
180V
Пакет / Чахол :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылады пастаўшчыка :
DO-35
Працоўная тэмпература :
-65°C ~ 175°C
серыял :
-
Талерантнасць :
±5%
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 137V
Тып мацавання :
Through Hole
Ўпакоўка :
Bulk
Частка Статус :
Active
в наличии
13,558
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N6030B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N6030B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N6030B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N6030B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N6030B Асаблівасці
1N6030B is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - Зенера - Аднамесны.
1N6030B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N6030B - гэта Дыёды - Зенера - Аднамесны, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N6030B вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6030B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6030B (PDF), кошт 1N6030B, Распіноўка 1N6030B, кіраўніцтва 1N6030B і рашэнне на замену 1N6030B.
1N6030B вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N6030B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N6030B (PDF), кошт 1N6030B, Распіноўка 1N6030B, кіраўніцтва 1N6030B і рашэнне на замену 1N6030B.
1N6030B FAQ
:
1. What is the maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6030B rectifier?
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6030B rectifier is 50 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6030B rectifier?
The average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6030B rectifier is 6 amperes.
3. What is the peak forward surge current (IFSM) for the 1N6030B rectifier?
The peak forward surge current (IFSM) for the 1N6030B rectifier is 200 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the 1N6030B rectifier at 6A?
The maximum forward voltage drop (VF) of the 1N6030B rectifier at 6A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance (Cj) of the 1N6030B rectifier at 4V, 1MHz?
The typical junction capacitance (Cj) of the 1N6030B rectifier at 4V, 1MHz is 40 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current (IR) of the 1N6030B rectifier at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current (IR) of the 1N6030B rectifier at its rated voltage is 5 microamperes.
7. What is the operating junction temperature range (TJ) for the 1N6030B rectifier?
The operating junction temperature range (TJ) for the 1N6030B rectifier is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6030B rectifier?
The thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6030B rectifier is 3.0°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time (trr) of the 1N6030B rectifier at IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A?
The maximum reverse recovery time (trr) of the 1N6030B rectifier at IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A is 500 nanoseconds.
10. What is the package type and outline dimensions of the 1N6030B rectifier?
The 1N6030B rectifier is available in a DO-203AB (DO-5) package with outline dimensions as specified in the datasheet.
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the 1N6030B rectifier is 50 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6030B rectifier?
The average forward current (IF(AV)) rating of the 1N6030B rectifier is 6 amperes.
3. What is the peak forward surge current (IFSM) for the 1N6030B rectifier?
The peak forward surge current (IFSM) for the 1N6030B rectifier is 200 amperes.
4. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the 1N6030B rectifier at 6A?
The maximum forward voltage drop (VF) of the 1N6030B rectifier at 6A is 1.1 volts.
5. What is the typical junction capacitance (Cj) of the 1N6030B rectifier at 4V, 1MHz?
The typical junction capacitance (Cj) of the 1N6030B rectifier at 4V, 1MHz is 40 picofarads.
6. What is the maximum reverse leakage current (IR) of the 1N6030B rectifier at its rated voltage?
The maximum reverse leakage current (IR) of the 1N6030B rectifier at its rated voltage is 5 microamperes.
7. What is the operating junction temperature range (TJ) for the 1N6030B rectifier?
The operating junction temperature range (TJ) for the 1N6030B rectifier is -65°C to +175°C.
8. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6030B rectifier?
The thermal resistance junction to case (RθJC) for the 1N6030B rectifier is 3.0°C/W.
9. What is the maximum reverse recovery time (trr) of the 1N6030B rectifier at IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A?
The maximum reverse recovery time (trr) of the 1N6030B rectifier at IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A is 500 nanoseconds.
10. What is the package type and outline dimensions of the 1N6030B rectifier?
The 1N6030B rectifier is available in a DO-203AB (DO-5) package with outline dimensions as specified in the datasheet.
1N6030B Змяненні, ключавыя словы
:
1N6030B Кошт
1N6030B Малюнак
1N6030B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "1N60"
