1N5310-1 Microsemi Corporation CURRENT REGULATOR DIODE
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
1N5310-1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
CURRENT REGULATOR DIODE
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
1N5310-1 Табліцы дадзеных(PDF)
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Напружанне - зваротны DC (Vr) (макс.) :
-
Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ If :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - спалучэнне :
-
серыял :
Ток - зваротная ўцечка @ Vr :
-
Ток - Сярэдні выпрамлены (Io) :
-
Тып мацавання :
-
Ўпакоўка :
-
хуткасць :
-
Час зваротнага аднаўлення (trr) :
-
Частка Статус :
Active
Тып дыёда :
-
в наличии
18,726
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
1N5310-1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць 1N5310-1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc 1N5310-1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на 1N5310-1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
1N5310-1 Асаблівасці
1N5310-1 is produced by Microsemi Corporation, belongs to Дыёды - прыборы - адзіночныя.
1N5310-1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
1N5310-1 - гэта Дыёды - прыборы - адзіночныя, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Microsemi Corporation.
1N5310-1 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5310-1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5310-1 (PDF), кошт 1N5310-1, Распіноўка 1N5310-1, кіраўніцтва 1N5310-1 і рашэнне на замену 1N5310-1.
1N5310-1 вытворчасці Microsemi Corporation можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
1N5310-1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных 1N5310-1 (PDF), кошт 1N5310-1, Распіноўка 1N5310-1, кіраўніцтва 1N5310-1 і рашэнне на замену 1N5310-1.
1N5310-1 FAQ
:
1. What is the maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N5310-1 semiconductor?
The maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N5310-1 semiconductor is 1000 volts.
2. What is the average forward current (If(AV)) rating of the 1N5310-1 semiconductor?
The average forward current (If(AV)) rating of the 1N5310-1 semiconductor is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N5310-1 semiconductor?
The peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N5310-1 semiconductor is 150 amperes.
4. Can you provide the thermal resistance junction to case (Rth(j-c)) value for the 1N5310-1 semiconductor?
The thermal resistance junction to case (Rth(j-c)) value for the 1N5310-1 semiconductor is 3.0°C/W.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N5310-1 semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N5310-1 semiconductor is 150°C.
6. Does the 1N5310-1 semiconductor have a specified reverse recovery time (trr)?
Yes, the 1N5310-1 semiconductor has a specified reverse recovery time (trr) of 500 nanoseconds.
7. What is the forward voltage drop (Vf) at the rated forward current for the 1N5310-1 semiconductor?
The forward voltage drop (Vf) at the rated forward current for the 1N5310-1 semiconductor is 1.1 volts.
8. Is the 1N5310-1 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 1N5310-1 semiconductor is RoHS compliant.
9. Can you provide the storage temperature range for the 1N5310-1 semiconductor?
The storage temperature range for the 1N5310-1 semiconductor is -65°C to +175°C.
10. What is the package type of the 1N5310-1 semiconductor?
The package type of the 1N5310-1 semiconductor is DO-203AB.
The maximum repetitive reverse voltage (Vrrm) of the 1N5310-1 semiconductor is 1000 volts.
2. What is the average forward current (If(AV)) rating of the 1N5310-1 semiconductor?
The average forward current (If(AV)) rating of the 1N5310-1 semiconductor is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N5310-1 semiconductor?
The peak forward surge current (Ifsm) specification for the 1N5310-1 semiconductor is 150 amperes.
4. Can you provide the thermal resistance junction to case (Rth(j-c)) value for the 1N5310-1 semiconductor?
The thermal resistance junction to case (Rth(j-c)) value for the 1N5310-1 semiconductor is 3.0°C/W.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N5310-1 semiconductor?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for the 1N5310-1 semiconductor is 150°C.
6. Does the 1N5310-1 semiconductor have a specified reverse recovery time (trr)?
Yes, the 1N5310-1 semiconductor has a specified reverse recovery time (trr) of 500 nanoseconds.
7. What is the forward voltage drop (Vf) at the rated forward current for the 1N5310-1 semiconductor?
The forward voltage drop (Vf) at the rated forward current for the 1N5310-1 semiconductor is 1.1 volts.
8. Is the 1N5310-1 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the 1N5310-1 semiconductor is RoHS compliant.
9. Can you provide the storage temperature range for the 1N5310-1 semiconductor?
The storage temperature range for the 1N5310-1 semiconductor is -65°C to +175°C.
10. What is the package type of the 1N5310-1 semiconductor?
The package type of the 1N5310-1 semiconductor is DO-203AB.
1N5310-1 Змяненні, ключавыя словы
:
1N5310-1 Кошт
1N5310-1 Малюнак
1N5310-1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "1N53"