NAND128W3A2BN6E Micron Technology Inc. IC FLASH 128MBIT 50NS 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
NAND128W3A2BN6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 128MBIT 50NS 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
NAND128W3A2BN6E Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
128Mb (16M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NAND
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
50ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
50ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
26,724
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
NAND128W3A2BN6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NAND128W3A2BN6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc NAND128W3A2BN6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на NAND128W3A2BN6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
NAND128W3A2BN6E Асаблівасці
NAND128W3A2BN6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
NAND128W3A2BN6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
NAND128W3A2BN6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
NAND128W3A2BN6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NAND128W3A2BN6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NAND128W3A2BN6E (PDF), кошт NAND128W3A2BN6E, Распіноўка NAND128W3A2BN6E, кіраўніцтва NAND128W3A2BN6E і рашэнне на замену NAND128W3A2BN6E.
NAND128W3A2BN6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NAND128W3A2BN6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NAND128W3A2BN6E (PDF), кошт NAND128W3A2BN6E, Распіноўка NAND128W3A2BN6E, кіраўніцтва NAND128W3A2BN6E і рашэнне на замену NAND128W3A2BN6E.
NAND128W3A2BN6E FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the NAND128W3A2BN6E?
The maximum operating temperature for the NAND128W3A2BN6E is 85°C.
2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?
The typical input voltage range for the NAND128W3A2BN6E is 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the data retention period for this NAND flash memory?
The data retention period for the NAND128W3A2BN6E is typically 10 years.
4. What is the erase cycle endurance for this NAND flash device?
The NAND128W3A2BN6E has an erase cycle endurance of 100,000 cycles.
5. Does this semiconductor support hardware data protection features?
Yes, the NAND128W3A2BN6E supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code) and wear leveling.
6. What is the page size of the NAND128W3A2BN6E?
The page size of the NAND128W3A2BN6E is 2KB.
7. Can you explain the interface protocol used by this NAND flash memory?
The NAND128W3A2BN6E uses a standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.3 interface protocol.
8. What are the available package options for this semiconductor?
The NAND128W3A2BN6E is available in a 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package).
9. Is there a recommended power sequencing requirement for this NAND flash memory?
Yes, it is recommended to follow the specified power sequencing requirements outlined in the datasheet for proper operation.
10. Can you provide the typical read and program performance specifications for the NAND128W3A2BN6E?
The typical read speed is 25ns and the typical program speed is 200μs for the NAND128W3A2BN6E.
I hope these answers are helpful!
The maximum operating temperature for the NAND128W3A2BN6E is 85°C.
2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?
The typical input voltage range for the NAND128W3A2BN6E is 2.7V to 3.6V.
3. Can you provide the data retention period for this NAND flash memory?
The data retention period for the NAND128W3A2BN6E is typically 10 years.
4. What is the erase cycle endurance for this NAND flash device?
The NAND128W3A2BN6E has an erase cycle endurance of 100,000 cycles.
5. Does this semiconductor support hardware data protection features?
Yes, the NAND128W3A2BN6E supports hardware data protection features such as ECC (Error Correction Code) and wear leveling.
6. What is the page size of the NAND128W3A2BN6E?
The page size of the NAND128W3A2BN6E is 2KB.
7. Can you explain the interface protocol used by this NAND flash memory?
The NAND128W3A2BN6E uses a standard ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.3 interface protocol.
8. What are the available package options for this semiconductor?
The NAND128W3A2BN6E is available in a 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package).
9. Is there a recommended power sequencing requirement for this NAND flash memory?
Yes, it is recommended to follow the specified power sequencing requirements outlined in the datasheet for proper operation.
10. Can you provide the typical read and program performance specifications for the NAND128W3A2BN6E?
The typical read speed is 25ns and the typical program speed is 200μs for the NAND128W3A2BN6E.
I hope these answers are helpful!
NAND128W3A2BN6E Змяненні, ключавыя словы
:
NAND128W3A2BN6E Кошт
NAND128W3A2BN6E Малюнак
NAND128W3A2BN6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "NAND"
