N25Q016A11EV7A0 Micron Technology Inc. IC FLASH MEMORY NOR DIE
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
N25Q016A11EV7A0
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH MEMORY NOR DIE
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
SPI
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 2 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
16Mb (2M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 125°C (TA)
серыял :
Automotive, AEC-Q100
Тактавая частата :
108MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
8ms, 1ms
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
19,950
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
N25Q016A11EV7A0 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць N25Q016A11EV7A0 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc N25Q016A11EV7A0. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на N25Q016A11EV7A0. Націсніце, каб атрымаць прапанову
N25Q016A11EV7A0 Асаблівасці
N25Q016A11EV7A0 is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
N25Q016A11EV7A0 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
N25Q016A11EV7A0 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
N25Q016A11EV7A0 вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25Q016A11EV7A0 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25Q016A11EV7A0 (PDF), кошт N25Q016A11EV7A0, Распіноўка N25Q016A11EV7A0, кіраўніцтва N25Q016A11EV7A0 і рашэнне на замену N25Q016A11EV7A0.
N25Q016A11EV7A0 вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25Q016A11EV7A0 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25Q016A11EV7A0 (PDF), кошт N25Q016A11EV7A0, Распіноўка N25Q016A11EV7A0, кіраўніцтва N25Q016A11EV7A0 і рашэнне на замену N25Q016A11EV7A0.
N25Q016A11EV7A0 FAQ
:
1. What is the maximum clock frequency of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The maximum clock frequency of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 108 MHz.
2. What is the capacity of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The capacity of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 16 megabits (2 megabytes).
3. What is the interface voltage of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The interface voltage of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 1.8V or 3V.
4. Can the N25Q016A11EV7A0 flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.
5. What are the package options available for the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The N25Q016A11EV7A0 flash memory is available in an 8-pin SOIC 208-mil or an 8-pad WSON 6x5-mm package.
6. Does the N25Q016A11EV7A0 flash memory support uniform 4KB sectors with 64KB blocks?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory supports uniform 4KB sectors with 64KB blocks.
7. What is the typical program and erase time for the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The typical program time for the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 0.7ms per page, and the typical erase time is 60ms per sector.
8. Is the N25Q016A11EV7A0 flash memory RoHS compliant?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory is RoHS compliant.
9. What are the main applications of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The N25Q016A11EV7A0 flash memory is commonly used in consumer electronics, industrial, and networking applications.
10. Does the N25Q016A11EV7A0 flash memory have a deep power-down mode?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory has a deep power-down mode for low-power operation.
The maximum clock frequency of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 108 MHz.
2. What is the capacity of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The capacity of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 16 megabits (2 megabytes).
3. What is the interface voltage of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The interface voltage of the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 1.8V or 3V.
4. Can the N25Q016A11EV7A0 flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.
5. What are the package options available for the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The N25Q016A11EV7A0 flash memory is available in an 8-pin SOIC 208-mil or an 8-pad WSON 6x5-mm package.
6. Does the N25Q016A11EV7A0 flash memory support uniform 4KB sectors with 64KB blocks?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory supports uniform 4KB sectors with 64KB blocks.
7. What is the typical program and erase time for the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The typical program time for the N25Q016A11EV7A0 flash memory is 0.7ms per page, and the typical erase time is 60ms per sector.
8. Is the N25Q016A11EV7A0 flash memory RoHS compliant?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory is RoHS compliant.
9. What are the main applications of the N25Q016A11EV7A0 flash memory?
The N25Q016A11EV7A0 flash memory is commonly used in consumer electronics, industrial, and networking applications.
10. Does the N25Q016A11EV7A0 flash memory have a deep power-down mode?
Yes, the N25Q016A11EV7A0 flash memory has a deep power-down mode for low-power operation.
N25Q016A11EV7A0 Змяненні, ключавыя словы
:
N25Q016A11EV7A0 Кошт
N25Q016A11EV7A0 Малюнак
N25Q016A11EV7A0 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "N25Q"