N25Q008A11EF640E Micron Technology Inc. IC FLASH 1MX8 SLC SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
N25Q008A11EF640E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 1MX8 SLC SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
SPI
Напружанне - сілкаванне :
1.7 V ~ 2 V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
8Mb (1M x 8)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
108MHz
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
8ms, 5ms
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
16,124
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
N25Q008A11EF640E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць N25Q008A11EF640E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc N25Q008A11EF640E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на N25Q008A11EF640E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
N25Q008A11EF640E Асаблівасці
N25Q008A11EF640E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
N25Q008A11EF640E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
N25Q008A11EF640E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
N25Q008A11EF640E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25Q008A11EF640E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25Q008A11EF640E (PDF), кошт N25Q008A11EF640E, Распіноўка N25Q008A11EF640E, кіраўніцтва N25Q008A11EF640E і рашэнне на замену N25Q008A11EF640E.
N25Q008A11EF640E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
N25Q008A11EF640E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных N25Q008A11EF640E (PDF), кошт N25Q008A11EF640E, Распіноўка N25Q008A11EF640E, кіраўніцтва N25Q008A11EF640E і рашэнне на замену N25Q008A11EF640E.
N25Q008A11EF640E FAQ
:
1. What is the maximum clock frequency of the N25Q008A11EF640E flash memory?
The maximum clock frequency of the N25Q008A11EF640E flash memory is 108 MHz.
2. What is the operating voltage range for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The operating voltage range for the N25Q008A11EF640E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the N25Q008A11EF640E flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.
4. What is the typical read speed of the N25Q008A11EF640E flash memory?
The typical read speed of the N25Q008A11EF640E flash memory is 108 MHz.
5. Does the N25Q008A11EF640E flash memory support multiple I/O read?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory supports multiple I/O read with up to 4 data lines.
6. What are the available package options for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The N25Q008A11EF640E flash memory is available in an 8-pin SOIC and a 24-ball BGA package.
7. Is the N25Q008A11EF640E flash memory compatible with SPI interface?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory is compatible with SPI interface for easy integration.
8. What is the erase time for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The erase time for the N25Q008A11EF640E flash memory is typically 3 seconds for a sector erase.
9. Can the N25Q008A11EF640E flash memory be used in automotive applications?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory is qualified for automotive applications.
10. What is the typical power consumption of the N25Q008A11EF640E flash memory during read operations?
The typical power consumption of the N25Q008A11EF640E flash memory during read operations is 12 mA.
The maximum clock frequency of the N25Q008A11EF640E flash memory is 108 MHz.
2. What is the operating voltage range for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The operating voltage range for the N25Q008A11EF640E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the N25Q008A11EF640E flash memory be operated in a wide temperature range?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory can be operated in a wide temperature range from -40°C to 85°C.
4. What is the typical read speed of the N25Q008A11EF640E flash memory?
The typical read speed of the N25Q008A11EF640E flash memory is 108 MHz.
5. Does the N25Q008A11EF640E flash memory support multiple I/O read?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory supports multiple I/O read with up to 4 data lines.
6. What are the available package options for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The N25Q008A11EF640E flash memory is available in an 8-pin SOIC and a 24-ball BGA package.
7. Is the N25Q008A11EF640E flash memory compatible with SPI interface?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory is compatible with SPI interface for easy integration.
8. What is the erase time for the N25Q008A11EF640E flash memory?
The erase time for the N25Q008A11EF640E flash memory is typically 3 seconds for a sector erase.
9. Can the N25Q008A11EF640E flash memory be used in automotive applications?
Yes, the N25Q008A11EF640E flash memory is qualified for automotive applications.
10. What is the typical power consumption of the N25Q008A11EF640E flash memory during read operations?
The typical power consumption of the N25Q008A11EF640E flash memory during read operations is 12 mA.
N25Q008A11EF640E Змяненні, ключавыя словы
:
N25Q008A11EF640E Кошт
N25Q008A11EF640E Малюнак
N25Q008A11EF640E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "N25Q"