MT28F004B3VG-8 B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 4MBIT 80NS 40TSOP

Інтэгральныя схемы (ІС)

Нумар вытворцы:

MT28F004B3VG-8 B TR

Вытворца:

Micron Technology Inc.

Катэгорыя прадукцыі:

аб'ём памяці

Апісанне:

IC FLASH 4MBIT 80NS 40TSOP

Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:

MT28F004B3VG-8 B TR Табліцы дадзеных(PDF)

Інтэрфейс памяці :

Parallel

Напружанне - сілкаванне :

3 V ~ 3.6 V

Пакет / Чахол :

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Пакет прылады пастаўшчыка :

40-TSOP I

Памер памяці :

4Mb (512K x 8)

Працоўная тэмпература :

0°C ~ 70°C (TA)

серыял :

Тактавая частата :

Тып мацавання :

Surface Mount

Тып памяці :

Non-Volatile

Тэхналогія :

FLASH - NOR

Ўпакоўка :

Tape & Reel (TR)

Фармат памяці :

Flash

Час доступу :

80ns

Час цыкла запісу - слова, старонка :

80ns

Частка Статус :

Obsolete

в наличии

50,537

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

MT28F004B3VG-8 B TR Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць MT28F004B3VG-8 B TR больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc MT28F004B3VG-8 B TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на MT28F004B3VG-8 B TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову

MT28F004B3VG-8 B TR Асаблівасці

MT28F004B3VG-8 B TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.

MT28F004B3VG-8 B TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

MT28F004B3VG-8 B TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя Micron Technology Inc..
MT28F004B3VG-8 B TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
MT28F004B3VG-8 B TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных MT28F004B3VG-8 B TR (PDF), кошт MT28F004B3VG-8 B TR, Распіноўка MT28F004B3VG-8 B TR, кіраўніцтва MT28F004B3VG-8 B TR і рашэнне на замену MT28F004B3VG-8 B TR.

MT28F004B3VG-8 B TR FAQ

1. What is the maximum operating frequency of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is 50MHz.

2. What is the typical power consumption of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory withstand high temperatures?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is designed to withstand high temperatures up to 85°C.

4. What are the voltage requirements for programming the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The voltage requirements for programming the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory range from 2.7V to 3.6V.

5. Does the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory supports hardware data protection features for enhanced security.

6. What is the maximum erase cycle endurance of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory has a maximum erase cycle endurance of 100,000 cycles.

7. Is the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory compatible with standard TSOP packages?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is compatible with standard TSOP packages for easy integration.

8. What is the typical page program time for the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory?
The typical page program time for the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory is 200μs.

9. Can the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes for flexibility.

10. What is the data retention period of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory at 25°C?
The data retention period of the MT28F004B3VG-8 B TR NAND flash memory at 25°C is 20 years.

MT28F004B3VG-8 B TR Змяненні, ключавыя словы

MT28F004B3VG-8 B TR Кошт

MT28F004B3VG-8 B TR Тэхнічная спецыфікацыя

MT28F004B3VG-8 B TR Малюнак

MT28F004B3VG-8 B TR PDF

MT28F004B3VG-8 B TR Тэхнічныя характарыстыкі

MT28F004B3VG-8 B TR Напружанне на выснове

MT28F004B3VG-8 B TR Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.