M29F800DT70M6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 70NS 44SO
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
M29F800DT70M6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 8MBIT 70NS 44SO
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
44-SO
Памер памяці :
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tube
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
70ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
70ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
14,537
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
M29F800DT70M6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць M29F800DT70M6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc M29F800DT70M6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на M29F800DT70M6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
M29F800DT70M6E Асаблівасці
M29F800DT70M6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
M29F800DT70M6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
M29F800DT70M6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
M29F800DT70M6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DT70M6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DT70M6E (PDF), кошт M29F800DT70M6E, Распіноўка M29F800DT70M6E, кіраўніцтва M29F800DT70M6E і рашэнне на замену M29F800DT70M6E.
M29F800DT70M6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DT70M6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DT70M6E (PDF), кошт M29F800DT70M6E, Распіноўка M29F800DT70M6E, кіраўніцтва M29F800DT70M6E і рашэнне на замену M29F800DT70M6E.
M29F800DT70M6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F800DT70M6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F800DT70M6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DT70M6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DT70M6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DT70M6E operate at industrial temperature ranges?
Yes, the M29F800DT70M6E is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum data retention period of the M29F800DT70M6E?
The maximum data retention period of the M29F800DT70M6E is 20 years.
5. Does the M29F800DT70M6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F800DT70M6E supports in-system programming (ISP) for convenient firmware updates.
6. What are the available package options for the M29F800DT70M6E?
The M29F800DT70M6E is available in a 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package) and a 48-ball TFBGA (Thin Fine-Pitch Ball Grid Array).
7. What is the erase time of the M29F800DT70M6E?
The erase time of the M29F800DT70M6E is typically 2 seconds per sector.
8. Can the M29F800DT70M6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F800DT70M6E is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the programming voltage range for the M29F800DT70M6E?
The programming voltage range for the M29F800DT70M6E is 2.7V to 3.6V.
10. Is the M29F800DT70M6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DT70M6E is RoHS (Restriction of Hazardous Substances) compliant, making it environmentally friendly.
The maximum operating frequency of the M29F800DT70M6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DT70M6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DT70M6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DT70M6E operate at industrial temperature ranges?
Yes, the M29F800DT70M6E is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What is the maximum data retention period of the M29F800DT70M6E?
The maximum data retention period of the M29F800DT70M6E is 20 years.
5. Does the M29F800DT70M6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F800DT70M6E supports in-system programming (ISP) for convenient firmware updates.
6. What are the available package options for the M29F800DT70M6E?
The M29F800DT70M6E is available in a 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package) and a 48-ball TFBGA (Thin Fine-Pitch Ball Grid Array).
7. What is the erase time of the M29F800DT70M6E?
The erase time of the M29F800DT70M6E is typically 2 seconds per sector.
8. Can the M29F800DT70M6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F800DT70M6E is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
9. What is the programming voltage range for the M29F800DT70M6E?
The programming voltage range for the M29F800DT70M6E is 2.7V to 3.6V.
10. Is the M29F800DT70M6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DT70M6E is RoHS (Restriction of Hazardous Substances) compliant, making it environmentally friendly.
M29F800DT70M6E Змяненні, ключавыя словы
:
M29F800DT70M6E Кошт
M29F800DT70M6E Малюнак
M29F800DT70M6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "M29F"
