M29F800DB55N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
M29F800DB55N6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 8MBIT 55NS 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
55ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
55ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
13,850
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
M29F800DB55N6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць M29F800DB55N6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc M29F800DB55N6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на M29F800DB55N6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
M29F800DB55N6E Асаблівасці
M29F800DB55N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
M29F800DB55N6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
M29F800DB55N6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
M29F800DB55N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DB55N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DB55N6E (PDF), кошт M29F800DB55N6E, Распіноўка M29F800DB55N6E, кіраўніцтва M29F800DB55N6E і рашэнне на замену M29F800DB55N6E.
M29F800DB55N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DB55N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DB55N6E (PDF), кошт M29F800DB55N6E, Распіноўка M29F800DB55N6E, кіраўніцтва M29F800DB55N6E і рашэнне на замену M29F800DB55N6E.
M29F800DB55N6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory is 55 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DB55N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F800DB55N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the available package options for the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E is available in a 48-ball NANDFLash™ TSOP and a 48-ball NANDFlash™ LFBGA package.
5. What is the maximum data retention period of the M29F800DB55N6E?
The maximum data retention period of the M29F800DB55N6E is 20 years.
6. Does the M29F800DB55N6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29F800DB55N6E supports both software and hardware data protection features.
7. What is the erase time of the M29F800DB55N6E?
The erase time of the M29F800DB55N6E is 2 seconds per 2-Kbyte sector.
8. Can the M29F800DB55N6E be used in automotive applications?
Yes, the M29F800DB55N6E is suitable for use in automotive applications.
9. What is the maximum program/erase cycle endurance of the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
10. Is the M29F800DB55N6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DB55N6E is RoHS compliant.
The maximum operating frequency of the M29F800DB55N6E flash memory is 55 MHz.
2. What is the typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations?
The typical power consumption of the M29F800DB55N6E during read operations is 30 mA.
3. Can the M29F800DB55N6E operate at extended temperature ranges?
Yes, the M29F800DB55N6E can operate at extended temperature ranges from -40°C to 85°C.
4. What are the available package options for the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E is available in a 48-ball NANDFLash™ TSOP and a 48-ball NANDFlash™ LFBGA package.
5. What is the maximum data retention period of the M29F800DB55N6E?
The maximum data retention period of the M29F800DB55N6E is 20 years.
6. Does the M29F800DB55N6E support software and hardware data protection features?
Yes, the M29F800DB55N6E supports both software and hardware data protection features.
7. What is the erase time of the M29F800DB55N6E?
The erase time of the M29F800DB55N6E is 2 seconds per 2-Kbyte sector.
8. Can the M29F800DB55N6E be used in automotive applications?
Yes, the M29F800DB55N6E is suitable for use in automotive applications.
9. What is the maximum program/erase cycle endurance of the M29F800DB55N6E?
The M29F800DB55N6E has a maximum program/erase cycle endurance of 100,000 cycles.
10. Is the M29F800DB55N6E RoHS compliant?
Yes, the M29F800DB55N6E is RoHS compliant.
M29F800DB55N6E Змяненні, ключавыя словы
:
M29F800DB55N6E Кошт
M29F800DB55N6E Малюнак
M29F800DB55N6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "M29F"
