M29F800DB70M6E Micron Technology Inc. IC FLASH 8MBIT 70NS 44SO
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
M29F800DB70M6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 8MBIT 70NS 44SO
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
44-SO
Памер памяці :
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tube
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
70ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
70ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
46,745
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
M29F800DB70M6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць M29F800DB70M6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc M29F800DB70M6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на M29F800DB70M6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
M29F800DB70M6E Асаблівасці
M29F800DB70M6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
M29F800DB70M6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
M29F800DB70M6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
M29F800DB70M6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DB70M6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DB70M6E (PDF), кошт M29F800DB70M6E, Распіноўка M29F800DB70M6E, кіраўніцтва M29F800DB70M6E і рашэнне на замену M29F800DB70M6E.
M29F800DB70M6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F800DB70M6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F800DB70M6E (PDF), кошт M29F800DB70M6E, Распіноўка M29F800DB70M6E, кіраўніцтва M29F800DB70M6E і рашэнне на замену M29F800DB70M6E.
M29F800DB70M6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F800DB70M6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F800DB70M6E flash memory is 70 MHz.
2. What is the voltage range for the M29F800DB70M6E flash memory?
The voltage range for the M29F800DB70M6E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the M29F800DB70M6E operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
4. What is the typical access time of the M29F800DB70M6E flash memory?
The typical access time of the M29F800DB70M6E flash memory is 90 ns.
5. Does the M29F800DB70M6E support software data protection features?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory supports software data protection features.
6. What is the maximum data retention period of the M29F800DB70M6E flash memory?
The maximum data retention period of the M29F800DB70M6E flash memory is 20 years.
7. Is the M29F800DB70M6E compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What are the available package options for the M29F800DB70M6E?
The M29F800DB70M6E flash memory is available in TSOP48 and TFBSO56 package options.
9. Can the M29F800DB70M6E be used for in-system programming?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory can be used for in-system programming.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the M29F800DB70M6E flash memory?
The maximum erase and program cycle endurance of the M29F800DB70M6E flash memory is 100,000 cycles.
The maximum operating frequency of the M29F800DB70M6E flash memory is 70 MHz.
2. What is the voltage range for the M29F800DB70M6E flash memory?
The voltage range for the M29F800DB70M6E flash memory is 2.7V to 3.6V.
3. Can the M29F800DB70M6E operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
4. What is the typical access time of the M29F800DB70M6E flash memory?
The typical access time of the M29F800DB70M6E flash memory is 90 ns.
5. Does the M29F800DB70M6E support software data protection features?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory supports software data protection features.
6. What is the maximum data retention period of the M29F800DB70M6E flash memory?
The maximum data retention period of the M29F800DB70M6E flash memory is 20 years.
7. Is the M29F800DB70M6E compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What are the available package options for the M29F800DB70M6E?
The M29F800DB70M6E flash memory is available in TSOP48 and TFBSO56 package options.
9. Can the M29F800DB70M6E be used for in-system programming?
Yes, the M29F800DB70M6E flash memory can be used for in-system programming.
10. What is the maximum erase and program cycle endurance of the M29F800DB70M6E flash memory?
The maximum erase and program cycle endurance of the M29F800DB70M6E flash memory is 100,000 cycles.
M29F800DB70M6E Змяненні, ключавыя словы
:
M29F800DB70M6E Кошт
M29F800DB70M6E Малюнак
M29F800DB70M6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "M29F"
