M29F200BB70N6E Micron Technology Inc. IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
M29F200BB70N6E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP
Стан RoHs:
Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
4.5 V ~ 5.5 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
2Mb (256K x 8, 128K x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tray
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
70ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
70ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
28,269
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
M29F200BB70N6E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць M29F200BB70N6E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc M29F200BB70N6E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на M29F200BB70N6E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
M29F200BB70N6E Асаблівасці
M29F200BB70N6E is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
M29F200BB70N6E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
M29F200BB70N6E - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
M29F200BB70N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F200BB70N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F200BB70N6E (PDF), кошт M29F200BB70N6E, Распіноўка M29F200BB70N6E, кіраўніцтва M29F200BB70N6E і рашэнне на замену M29F200BB70N6E.
M29F200BB70N6E вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
M29F200BB70N6E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных M29F200BB70N6E (PDF), кошт M29F200BB70N6E, Распіноўка M29F200BB70N6E, кіраўніцтва M29F200BB70N6E і рашэнне на замену M29F200BB70N6E.
M29F200BB70N6E FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the M29F200BB70N6E flash memory?
The maximum operating frequency of the M29F200BB70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the storage capacity of the M29F200BB70N6E flash memory?
The M29F200BB70N6E flash memory has a storage capacity of 2 megabits (256 Kbytes).
3. Can the M29F200BB70N6E flash memory be operated at different voltage levels?
Yes, the M29F200BB70N6E flash memory can be operated at voltage levels ranging from 2.7V to 3.6V.
4. What is the typical access time of the M29F200BB70N6E flash memory?
The typical access time of the M29F200BB70N6E flash memory is 70 ns.
5. Does the M29F200BB70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F200BB70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient firmware updates.
6. What is the erase time of the M29F200BB70N6E flash memory?
The erase time of the M29F200BB70N6E flash memory is typically 2 seconds per sector.
7. Is the M29F200BB70N6E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the M29F200BB70N6E is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What is the temperature range for operation of the M29F200BB70N6E flash memory?
The M29F200BB70N6E flash memory is designed for operation within a temperature range of -40°C to 85°C.
9. Can the M29F200BB70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F200BB70N6E is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
10. Does the M29F200BB70N6E incorporate any power-saving features?
Yes, the M29F200BB70N6E incorporates low-power standby and automatic power-down features to conserve energy.
The maximum operating frequency of the M29F200BB70N6E flash memory is 33 MHz.
2. What is the storage capacity of the M29F200BB70N6E flash memory?
The M29F200BB70N6E flash memory has a storage capacity of 2 megabits (256 Kbytes).
3. Can the M29F200BB70N6E flash memory be operated at different voltage levels?
Yes, the M29F200BB70N6E flash memory can be operated at voltage levels ranging from 2.7V to 3.6V.
4. What is the typical access time of the M29F200BB70N6E flash memory?
The typical access time of the M29F200BB70N6E flash memory is 70 ns.
5. Does the M29F200BB70N6E support in-system programming (ISP)?
Yes, the M29F200BB70N6E supports in-system programming (ISP) for convenient firmware updates.
6. What is the erase time of the M29F200BB70N6E flash memory?
The erase time of the M29F200BB70N6E flash memory is typically 2 seconds per sector.
7. Is the M29F200BB70N6E compatible with standard flash memory interfaces?
Yes, the M29F200BB70N6E is compatible with standard flash memory interfaces such as parallel NOR Flash.
8. What is the temperature range for operation of the M29F200BB70N6E flash memory?
The M29F200BB70N6E flash memory is designed for operation within a temperature range of -40°C to 85°C.
9. Can the M29F200BB70N6E withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the M29F200BB70N6E is designed to withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
10. Does the M29F200BB70N6E incorporate any power-saving features?
Yes, the M29F200BB70N6E incorporates low-power standby and automatic power-down features to conserve energy.
M29F200BB70N6E Змяненні, ключавыя словы
:
M29F200BB70N6E Кошт
M29F200BB70N6E Малюнак
M29F200BB70N6E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "M29F"
