JR28F032M29EWTB TR Micron Technology Inc. IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
JR28F032M29EWTB TR
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
JR28F032M29EWTB TR Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
Parallel
Напружанне - сілкаванне :
2.7 V ~ 3.6 V
Пакет / Чахол :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
48-TSOP
Памер памяці :
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 85°C (TA)
серыял :
-
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып памяці :
Non-Volatile
Тэхналогія :
FLASH - NOR
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фармат памяці :
Flash
Час доступу :
70ns
Час цыкла запісу - слова, старонка :
70ns
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
26,809
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
JR28F032M29EWTB TR Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць JR28F032M29EWTB TR больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc JR28F032M29EWTB TR. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на JR28F032M29EWTB TR. Націсніце, каб атрымаць прапанову
JR28F032M29EWTB TR Асаблівасці
JR28F032M29EWTB TR is produced by Micron Technology Inc., belongs to аб'ём памяці.
JR28F032M29EWTB TR Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
JR28F032M29EWTB TR - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Micron Technology Inc..
JR28F032M29EWTB TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
JR28F032M29EWTB TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных JR28F032M29EWTB TR (PDF), кошт JR28F032M29EWTB TR, Распіноўка JR28F032M29EWTB TR, кіраўніцтва JR28F032M29EWTB TR і рашэнне на замену JR28F032M29EWTB TR.
JR28F032M29EWTB TR вытворчасці Micron Technology Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
JR28F032M29EWTB TR кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных JR28F032M29EWTB TR (PDF), кошт JR28F032M29EWTB TR, Распіноўка JR28F032M29EWTB TR, кіраўніцтва JR28F032M29EWTB TR і рашэнне на замену JR28F032M29EWTB TR.
JR28F032M29EWTB TR FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature of the JR28F032M29EWTB TR?
The maximum operating temperature of the JR28F032M29EWTB TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for the JR28F032M29EWTB TR is -55°C to 125°C.
3. Can you provide details about the input voltage requirements for this semiconductor?
The input voltage range for the JR28F032M29EWTB TR is 2.7V to 3.6V.
4. What are the typical power consumption specifications for this component?
The typical power consumption for the JR28F032M29EWTB TR is 25mA (typical) and 50mA (maximum).
5. Does this semiconductor support hardware data protection features?
Yes, the JR28F032M29EWTB TR supports hardware data protection features.
6. What is the package type of the JR28F032M29EWTB TR?
The JR28F032M29EWTB TR comes in a 48-TBGA package.
7. Can you provide information about the programming voltage required for this semiconductor?
The programming voltage required for the JR28F032M29EWTB TR is 2.7V to 3.6V.
8. What is the erase time for this semiconductor?
The erase time for the JR28F032M29EWTB TR is 2ms (typical) and 10ms (maximum).
9. Is there a recommended method for handling electrostatic discharge (ESD) with this component?
It is recommended to follow standard ESD handling procedures when working with the JR28F032M29EWTB TR.
10. Can you provide details about the endurance and retention characteristics of this semiconductor?
The endurance of the JR28F032M29EWTB TR is 100,000 program/erase cycles, and it has a 20-year retention at 85°C.
The maximum operating temperature of the JR28F032M29EWTB TR is 85°C.
2. What is the storage temperature range for this semiconductor?
The storage temperature range for the JR28F032M29EWTB TR is -55°C to 125°C.
3. Can you provide details about the input voltage requirements for this semiconductor?
The input voltage range for the JR28F032M29EWTB TR is 2.7V to 3.6V.
4. What are the typical power consumption specifications for this component?
The typical power consumption for the JR28F032M29EWTB TR is 25mA (typical) and 50mA (maximum).
5. Does this semiconductor support hardware data protection features?
Yes, the JR28F032M29EWTB TR supports hardware data protection features.
6. What is the package type of the JR28F032M29EWTB TR?
The JR28F032M29EWTB TR comes in a 48-TBGA package.
7. Can you provide information about the programming voltage required for this semiconductor?
The programming voltage required for the JR28F032M29EWTB TR is 2.7V to 3.6V.
8. What is the erase time for this semiconductor?
The erase time for the JR28F032M29EWTB TR is 2ms (typical) and 10ms (maximum).
9. Is there a recommended method for handling electrostatic discharge (ESD) with this component?
It is recommended to follow standard ESD handling procedures when working with the JR28F032M29EWTB TR.
10. Can you provide details about the endurance and retention characteristics of this semiconductor?
The endurance of the JR28F032M29EWTB TR is 100,000 program/erase cycles, and it has a 20-year retention at 85°C.
JR28F032M29EWTB TR Змяненні, ключавыя словы
:
JR28F032M29EWTB TR Кошт
JR28F032M29EWTB TR Малюнак
JR28F032M29EWTB TR Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "JR28"