NPT1012B M/A-Com Technology Solutions HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
NPT1012B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Бягучы рэйтынг :
-
Выйгрыш :
13dB
Магутнасць - выхад :
-
Напружанне - Намінальнае :
100V
Напружанне - Тэст :
28V
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
серыял :
-
Ток - Тэст :
225mA
Тып транзістара :
HEMT
Ўпакоўка :
Tray
Фігура шуму :
-
Частата :
0Hz ~ 4GHz
Частка Статус :
Active
в наличии
58,042
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
NPT1012B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NPT1012B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc NPT1012B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на NPT1012B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
NPT1012B Асаблівасці
NPT1012B is produced by M/A-Com Technology Solutions, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
NPT1012B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
NPT1012B - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
M/A-Com Technology Solutions.
NPT1012B вытворчасці M/A-Com Technology Solutions можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NPT1012B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NPT1012B (PDF), кошт NPT1012B, Распіноўка NPT1012B, кіраўніцтва NPT1012B і рашэнне на замену NPT1012B.
NPT1012B вытворчасці M/A-Com Technology Solutions можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NPT1012B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NPT1012B (PDF), кошт NPT1012B, Распіноўка NPT1012B, кіраўніцтва NPT1012B і рашэнне на замену NPT1012B.
NPT1012B FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for NPT1012B?
The maximum drain-source voltage rating for NPT1012B is 100V.
2. What is the continuous drain current rating for NPT1012B?
The continuous drain current rating for NPT1012B is 75A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B at a specified gate-source voltage and drain current?
At a gate-source voltage of 10V and a drain current of 50A, the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B is typically 4.5mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for NPT1012B?
The gate threshold voltage for NPT1012B typically ranges from 2.0V to 4.0V.
5. What is the maximum junction temperature for NPT1012B?
The maximum junction temperature for NPT1012B is 175°C.
6. What is the typical input capacitance of NPT1012B?
The typical input capacitance of NPT1012B is 5200pF.
7. What is the total gate charge of NPT1012B at a specified gate-source voltage?
At a gate-source voltage of 10V, the total gate charge of NPT1012B is typically 60nC.
8. What is the reverse recovery time of the body diode in NPT1012B?
The reverse recovery time of the body diode in NPT1012B is typically 38ns.
9. What is the maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment?
The maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment is 300W.
10. What are the recommended storage conditions for NPT1012B?
NPT1012B should be stored in a dry and clean environment with a temperature range of -55°C to 150°C and a relative humidity not exceeding 75%.
The maximum drain-source voltage rating for NPT1012B is 100V.
2. What is the continuous drain current rating for NPT1012B?
The continuous drain current rating for NPT1012B is 75A.
3. What is the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B at a specified gate-source voltage and drain current?
At a gate-source voltage of 10V and a drain current of 50A, the on-resistance (RDS(on)) of NPT1012B is typically 4.5mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for NPT1012B?
The gate threshold voltage for NPT1012B typically ranges from 2.0V to 4.0V.
5. What is the maximum junction temperature for NPT1012B?
The maximum junction temperature for NPT1012B is 175°C.
6. What is the typical input capacitance of NPT1012B?
The typical input capacitance of NPT1012B is 5200pF.
7. What is the total gate charge of NPT1012B at a specified gate-source voltage?
At a gate-source voltage of 10V, the total gate charge of NPT1012B is typically 60nC.
8. What is the reverse recovery time of the body diode in NPT1012B?
The reverse recovery time of the body diode in NPT1012B is typically 38ns.
9. What is the maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment?
The maximum power dissipation of NPT1012B in an operating environment is 300W.
10. What are the recommended storage conditions for NPT1012B?
NPT1012B should be stored in a dry and clean environment with a temperature range of -55°C to 150°C and a relative humidity not exceeding 75%.
NPT1012B Змяненні, ключавыя словы
:
NPT1012B Кошт
NPT1012B Малюнак
NPT1012B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1