IX2A11S1T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
IX2A11S1T/R
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC
Стан RoHs:

Табліцы дадзеных:
Высокае бакавое напружанне - макс. (бутстрап) :
-
Кіраваная канфігурацыя :
-
Колькасць драйвераў :
-
Лагічнае напружанне - VIL, VIH :
-
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SOIC
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
-
Ток - пікавы выхад (крыніца, паглынальнік) :
-
Тып варот :
-
Тып канала :
-
Тып мацавання :
Surface Mount
Тып уводу :
-
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Час нарастання/падзення (тып.) :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
59,362
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
IX2A11S1T/R Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць IX2A11S1T/R больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc IX2A11S1T/R. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на IX2A11S1T/R. Націсніце, каб атрымаць прапанову
IX2A11S1T/R Асаблівасці
IX2A11S1T/R is produced by IXYS, belongs to PMIC - драйверы Gate.
IX2A11S1T/R Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
IX2A11S1T/R - гэта PMIC - драйверы Gate, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
IXYS.
IX2A11S1T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2A11S1T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2A11S1T/R (PDF), кошт IX2A11S1T/R, Распіноўка IX2A11S1T/R, кіраўніцтва IX2A11S1T/R і рашэнне на замену IX2A11S1T/R.
IX2A11S1T/R вытворчасці IXYS можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
IX2A11S1T/R кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных IX2A11S1T/R (PDF), кошт IX2A11S1T/R, Распіноўка IX2A11S1T/R, кіраўніцтва IX2A11S1T/R і рашэнне на замену IX2A11S1T/R.
IX2A11S1T/R FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor?
The maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX2A11S1T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode?
The reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode is typically 50ns.
5. Is the IX2A11S1T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is suitable for automotive applications and meets relevant industry standards.
6. What is the maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode?
The maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode is 1A.
7. Does the IX2A11S1T/R have built-in ESD protection?
Yes, the IX2A11S1T/R features built-in ESD protection for enhanced reliability.
8. What is the typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode is 15pF.
9. Can the IX2A11S1T/R be used in power supply applications?
Yes, the IX2A11S1T/R can be used in power supply applications with appropriate design considerations.
10. What is the package type of the IX2A11S1T/R semiconductor?
The IX2A11S1T/R semiconductor is available in a compact SOT-23 package for easy integration into various electronic designs.
The maximum operating temperature for the IX2A11S1T/R semiconductor is 150°C.
2. What is the typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode?
The typical forward voltage drop for the IX2A11S1T/R diode is 0.7V.
3. Can the IX2A11S1T/R handle high-frequency applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is designed to handle high-frequency applications effectively.
4. What is the reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode?
The reverse recovery time of the IX2A11S1T/R diode is typically 50ns.
5. Is the IX2A11S1T/R suitable for automotive applications?
Yes, the IX2A11S1T/R is suitable for automotive applications and meets relevant industry standards.
6. What is the maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode?
The maximum forward current rating for the IX2A11S1T/R diode is 1A.
7. Does the IX2A11S1T/R have built-in ESD protection?
Yes, the IX2A11S1T/R features built-in ESD protection for enhanced reliability.
8. What is the typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode?
The typical junction capacitance of the IX2A11S1T/R diode is 15pF.
9. Can the IX2A11S1T/R be used in power supply applications?
Yes, the IX2A11S1T/R can be used in power supply applications with appropriate design considerations.
10. What is the package type of the IX2A11S1T/R semiconductor?
The IX2A11S1T/R semiconductor is available in a compact SOT-23 package for easy integration into various electronic designs.
IX2A11S1T/R Змяненні, ключавыя словы
:
IX2A11S1T/R Кошт
IX2A11S1T/R Малюнак
IX2A11S1T/R Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "IX2A"