CGHV96050F1 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V 440210
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
CGHV96050F1
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
RF MOSFET HEMT 40V 440210
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
CGHV96050F1 Табліцы дадзеных(PDF)
Бягучы рэйтынг :
13A
Выйгрыш :
17dB
Магутнасць - выхад :
32W
Напружанне - Намінальнае :
100V
Напружанне - Тэст :
40V
Пакет / Чахол :
440210
Пакет прылады пастаўшчыка :
440210
серыял :
GaN
Ток - Тэст :
500mA
Тып транзістара :
HEMT
Ўпакоўка :
Tray
Фігура шуму :
-
Частата :
7.9GHz ~ 9.6GHz
Частка Статус :
Active
в наличии
15,086
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
CGHV96050F1 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць CGHV96050F1 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc CGHV96050F1. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на CGHV96050F1. Націсніце, каб атрымаць прапанову
CGHV96050F1 Асаблівасці
CGHV96050F1 is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
CGHV96050F1 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
CGHV96050F1 - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cree/Wolfspeed.
CGHV96050F1 вытворчасці Cree/Wolfspeed можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CGHV96050F1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CGHV96050F1 (PDF), кошт CGHV96050F1, Распіноўка CGHV96050F1, кіраўніцтва CGHV96050F1 і рашэнне на замену CGHV96050F1.
CGHV96050F1 вытворчасці Cree/Wolfspeed можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
CGHV96050F1 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных CGHV96050F1 (PDF), кошт CGHV96050F1, Распіноўка CGHV96050F1, кіраўніцтва CGHV96050F1 і рашэнне на замену CGHV96050F1.
CGHV96050F1 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the CGHV96050F1?
The maximum drain-source voltage of the CGHV96050F1 is 500 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the CGHV96050F1?
The continuous drain current rating of the CGHV96050F1 is 16 amperes.
3. What is the typical input capacitance of the CGHV96050F1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV96050F1 is 440 picofarads at 25 volts and 1 megahertz.
4. What is the on-resistance of the CGHV96050F1 at a specific gate-source voltage?
The on-resistance of the CGHV96050F1 is typically 0.5 ohms at a gate-source voltage of 10 volts.
5. What is the maximum junction temperature of the CGHV96050F1?
The maximum junction temperature of the CGHV96050F1 is 175 degrees Celsius.
6. What is the typical gate charge of the CGHV96050F1 at a specified gate-source voltage?
The typical gate charge of the CGHV96050F1 is 40 nanocoulombs at a gate-source voltage of 10 volts.
7. What is the typical reverse recovery time of the CGHV96050F1?
The typical reverse recovery time of the CGHV96050F1 is 35 nanoseconds.
8. What is the maximum power dissipation of the CGHV96050F1 in a specified operating temperature range?
The maximum power dissipation of the CGHV96050F1 is 625 watts from -55 to 150 degrees Celsius.
9. What is the typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1?
The typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1 is 0.15 degrees Celsius per watt.
10. What is the package type of the CGHV96050F1?
The CGHV96050F1 is available in a hermetic metal/ceramic package.
The maximum drain-source voltage of the CGHV96050F1 is 500 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the CGHV96050F1?
The continuous drain current rating of the CGHV96050F1 is 16 amperes.
3. What is the typical input capacitance of the CGHV96050F1 at a specified voltage and frequency?
The typical input capacitance of the CGHV96050F1 is 440 picofarads at 25 volts and 1 megahertz.
4. What is the on-resistance of the CGHV96050F1 at a specific gate-source voltage?
The on-resistance of the CGHV96050F1 is typically 0.5 ohms at a gate-source voltage of 10 volts.
5. What is the maximum junction temperature of the CGHV96050F1?
The maximum junction temperature of the CGHV96050F1 is 175 degrees Celsius.
6. What is the typical gate charge of the CGHV96050F1 at a specified gate-source voltage?
The typical gate charge of the CGHV96050F1 is 40 nanocoulombs at a gate-source voltage of 10 volts.
7. What is the typical reverse recovery time of the CGHV96050F1?
The typical reverse recovery time of the CGHV96050F1 is 35 nanoseconds.
8. What is the maximum power dissipation of the CGHV96050F1 in a specified operating temperature range?
The maximum power dissipation of the CGHV96050F1 is 625 watts from -55 to 150 degrees Celsius.
9. What is the typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1?
The typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1 is 0.15 degrees Celsius per watt.
10. What is the package type of the CGHV96050F1?
The CGHV96050F1 is available in a hermetic metal/ceramic package.
CGHV96050F1 Змяненні, ключавыя словы
:
CGHV96050F1 Кошт
CGHV96050F1 Малюнак
CGHV96050F1 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "CGHV"
