NE6510179A-A CEL FET RF 8V 1.9GHZ 79A
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
NE6510179A-A
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
NE6510179A-A Табліцы дадзеных(PDF)
Бягучы рэйтынг :
2.8A
Выйгрыш :
10dB
Магутнасць - выхад :
32.5dBm
Напружанне - Намінальнае :
8V
Напружанне - Тэст :
3.5V
Пакет / Чахол :
4-SMD, Flat Leads
Пакет прылады пастаўшчыка :
79A
серыял :
-
Ток - Тэст :
200mA
Тып транзістара :
HFET
Ўпакоўка :
Bulk
Фігура шуму :
-
Частата :
1.9GHz
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
56,639
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
NE6510179A-A Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NE6510179A-A больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc NE6510179A-A. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на NE6510179A-A. Націсніце, каб атрымаць прапанову
NE6510179A-A Асаблівасці
NE6510179A-A is produced by CEL, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
NE6510179A-A Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
NE6510179A-A - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
CEL.
NE6510179A-A вытворчасці CEL можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NE6510179A-A кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NE6510179A-A (PDF), кошт NE6510179A-A, Распіноўка NE6510179A-A, кіраўніцтва NE6510179A-A і рашэнне на замену NE6510179A-A.
NE6510179A-A вытворчасці CEL можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NE6510179A-A кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NE6510179A-A (PDF), кошт NE6510179A-A, Распіноўка NE6510179A-A, кіраўніцтва NE6510179A-A і рашэнне на замену NE6510179A-A.
NE6510179A-A FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the NE6510179A-A?
The maximum operating frequency of the NE6510179A-A is 6 GHz.
2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?
The typical input voltage range for the NE6510179A-A is 3.0V to 5.5V.
3. Can this semiconductor be used in high-temperature environments?
Yes, the NE6510179A-A is designed to operate in high-temperature environments up to 125°C.
4. What is the typical gain of the NE6510179A-A at 2 GHz?
The typical gain of the NE6510179A-A at 2 GHz is 18 dB.
5. Does this semiconductor require an external matching network?
Yes, the NE6510179A-A requires an external matching network for optimal performance.
6. What is the noise figure of the NE6510179A-A at 1 GHz?
The noise figure of the NE6510179A-A at 1 GHz is 1.2 dB.
7. Is the NE6510179A-A suitable for battery-powered applications?
Yes, the NE6510179A-A is suitable for battery-powered applications due to its low power consumption.
8. What is the typical output third-order intercept point (OIP3) of this semiconductor?
The typical output third-order intercept point (OIP3) of the NE6510179A-A is 28 dBm.
9. Can this semiconductor be used in wireless communication systems?
Yes, the NE6510179A-A is suitable for use in various wireless communication systems, including Wi-Fi and cellular applications.
10. What is the package type of the NE6510179A-A?
The NE6510179A-A is available in a compact 6-pin SOT-363 package.
The maximum operating frequency of the NE6510179A-A is 6 GHz.
2. What is the typical input voltage range for this semiconductor?
The typical input voltage range for the NE6510179A-A is 3.0V to 5.5V.
3. Can this semiconductor be used in high-temperature environments?
Yes, the NE6510179A-A is designed to operate in high-temperature environments up to 125°C.
4. What is the typical gain of the NE6510179A-A at 2 GHz?
The typical gain of the NE6510179A-A at 2 GHz is 18 dB.
5. Does this semiconductor require an external matching network?
Yes, the NE6510179A-A requires an external matching network for optimal performance.
6. What is the noise figure of the NE6510179A-A at 1 GHz?
The noise figure of the NE6510179A-A at 1 GHz is 1.2 dB.
7. Is the NE6510179A-A suitable for battery-powered applications?
Yes, the NE6510179A-A is suitable for battery-powered applications due to its low power consumption.
8. What is the typical output third-order intercept point (OIP3) of this semiconductor?
The typical output third-order intercept point (OIP3) of the NE6510179A-A is 28 dBm.
9. Can this semiconductor be used in wireless communication systems?
Yes, the NE6510179A-A is suitable for use in various wireless communication systems, including Wi-Fi and cellular applications.
10. What is the package type of the NE6510179A-A?
The NE6510179A-A is available in a compact 6-pin SOT-363 package.
NE6510179A-A Змяненні, ключавыя словы
:
NE6510179A-A Кошт
NE6510179A-A Малюнак
NE6510179A-A Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "NE65"
