NE4210S01-T1B CEL HJ-FET 13DB S01

Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы

Нумар вытворцы:

NE4210S01-T1B

Вытворца:

CEL

Катэгорыя прадукцыі:

Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ

Апісанне:

HJ-FET 13DB S01

Стан RoHs:

Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS

Табліцы дадзеных:

NE4210S01-T1B Табліцы дадзеных(PDF)

Бягучы рэйтынг :

15mA

Выйгрыш :

13dB

Магутнасць - выхад :

Напружанне - Намінальнае :

Напружанне - Тэст :

Пакет / Чахол :

4-SMD

Пакет прылады пастаўшчыка :

SMD

серыял :

Ток - Тэст :

10mA

Тып транзістара :

HFET

Ўпакоўка :

Tape & Box (TB)

Фігура шуму :

0.5dB

Частата :

12GHz

Частка Статус :

Obsolete

в наличии

35,789

Unit Price:

Звяжыцеся з намі Прапанова

NE4210S01-T1B Канкурэнтныя кошты

ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NE4210S01-T1B больш канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым сэрвісам, купіўшы ChipIc NE4210S01-T1B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт лепшай цаны на NE4210S01-T1B. Націсніце, каб атрымаць прапанову

NE4210S01-T1B Асаблівасці

NE4210S01-T1B is produced by CEL, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.

NE4210S01-T1B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі

NE4210S01-T1B - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і вырабленыя CEL.
NE4210S01-T1B вытворчасці CEL можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NE4210S01-T1B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NE4210S01-T1B (PDF), кошт NE4210S01-T1B, Распіноўка NE4210S01-T1B, кіраўніцтва NE4210S01-T1B і рашэнне на замену NE4210S01-T1B.

NE4210S01-T1B FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for NE4210S01-T1B?
The maximum drain-source voltage for NE4210S01-T1B is 100V.

2. What is the typical on-state resistance of NE4210S01-T1B?
The typical on-state resistance of NE4210S01-T1B is 25mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for NE4210S01-T1B?
The maximum continuous drain current for NE4210S01-T1B is 120A.

4. What is the typical gate threshold voltage for NE4210S01-T1B?
The typical gate threshold voltage for NE4210S01-T1B is 2.5V.

5. What is the maximum power dissipation for NE4210S01-T1B?
The maximum power dissipation for NE4210S01-T1B is 150W.

6. What is the operating junction temperature range for NE4210S01-T1B?
The operating junction temperature range for NE4210S01-T1B is -55°C to 175°C.

7. What is the typical input capacitance of NE4210S01-T1B?
The typical input capacitance of NE4210S01-T1B is 5200pF.

8. What is the typical reverse transfer capacitance of NE4210S01-T1B?
The typical reverse transfer capacitance of NE4210S01-T1B is 300pF.

9. What is the maximum storage temperature for NE4210S01-T1B?
The maximum storage temperature for NE4210S01-T1B is -55°C to 175°C.

10. What is the typical turn-on delay time for NE4210S01-T1B?
The typical turn-on delay time for NE4210S01-T1B is 13ns.

NE4210S01-T1B Змяненні, ключавыя словы

NE4210S01-T1B Кошт

NE4210S01-T1B Тэхнічная спецыфікацыя

NE4210S01-T1B Малюнак

NE4210S01-T1B PDF

NE4210S01-T1B Тэхнічныя характарыстыкі

NE4210S01-T1B Напружанне на выснове

NE4210S01-T1B Пастаўшчык

Акцыі: Хуткая праверка каціровак

Мінімальная замова: 1

Запоўніце ўсе абавязковыя палі і націсніце "Даслаць", і мы звяжамся з вамі па электроннай пошце на працягу 12 гадзін. па электроннай пошце. Калі ў вас ёсць якія-небудзь пытанні, калі ласка, пакіньце паведамленне або электронны ліст. Дашліце ліст на адрас chipsemiconductor@mail.ru і мы адкажам як мага хутчэй.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Неадкладны тэрмін дастаўкі: на працягу 24 гадзін-72 гадзін.

Змяшчае прадукты серыі "NE42"

NE4210S01

HJ-FET 13DB S01
NE4210S01-T1B

HJ-FET 13DB S01