NE3210S01-T1B CEL FET RF 4V 12GHZ S01
Дыскрэтныя паўправадніковыя прыборы
Нумар вытворцы:
NE3210S01-T1B
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
FET RF 4V 12GHZ S01
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
NE3210S01-T1B Табліцы дадзеных(PDF)
Бягучы рэйтынг :
15mA
Выйгрыш :
13.5dB
Магутнасць - выхад :
-
Напружанне - Намінальнае :
4V
Напружанне - Тэст :
2V
Пакет / Чахол :
4-SMD
Пакет прылады пастаўшчыка :
SMD
серыял :
-
Ток - Тэст :
10mA
Тып транзістара :
HFET
Ўпакоўка :
Tape & Reel (TR)
Фігура шуму :
0.35dB
Частата :
12GHz
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
54,691
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
NE3210S01-T1B Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць NE3210S01-T1B больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc NE3210S01-T1B. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на NE3210S01-T1B. Націсніце, каб атрымаць прапанову
NE3210S01-T1B Асаблівасці
NE3210S01-T1B is produced by CEL, belongs to Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ.
NE3210S01-T1B Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
NE3210S01-T1B - гэта Транзістары - палявыя транзістары, МАП-транзістары - РФ, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
CEL.
NE3210S01-T1B вытворчасці CEL можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NE3210S01-T1B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NE3210S01-T1B (PDF), кошт NE3210S01-T1B, Распіноўка NE3210S01-T1B, кіраўніцтва NE3210S01-T1B і рашэнне на замену NE3210S01-T1B.
NE3210S01-T1B вытворчасці CEL можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
NE3210S01-T1B кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных NE3210S01-T1B (PDF), кошт NE3210S01-T1B, Распіноўка NE3210S01-T1B, кіраўніцтва NE3210S01-T1B і рашэнне на замену NE3210S01-T1B.
NE3210S01-T1B FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The maximum operating frequency of the NE3210S01-T1B semiconductor is 6 GHz.
2. What is the typical input power for the NE3210S01-T1B semiconductor?
The typical input power for the NE3210S01-T1B semiconductor is 20 dBm.
3. What is the noise figure of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The noise figure of the NE3210S01-T1B semiconductor is typically 1.5 dB.
4. Can the NE3210S01-T1B semiconductor be used in high-temperature environments?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is designed to operate reliably in high-temperature environments up to 125°C.
5. What is the recommended supply voltage for the NE3210S01-T1B semiconductor?
The recommended supply voltage for the NE3210S01-T1B semiconductor is 5V.
6. Does the NE3210S01-T1B semiconductor require an external matching network?
No, the NE3210S01-T1B semiconductor is internally matched and does not require an external matching network.
7. What is the gain of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The gain of the NE3210S01-T1B semiconductor is typically 15 dB.
8. Is the NE3210S01-T1B semiconductor RoHS compliant?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is RoHS compliant.
9. What is the package type of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The NE3210S01-T1B semiconductor is available in a SOT-89 package.
10. Can the NE3210S01-T1B semiconductor be used in wireless communication applications?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is suitable for use in various wireless communication applications including cellular and Wi-Fi.
The maximum operating frequency of the NE3210S01-T1B semiconductor is 6 GHz.
2. What is the typical input power for the NE3210S01-T1B semiconductor?
The typical input power for the NE3210S01-T1B semiconductor is 20 dBm.
3. What is the noise figure of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The noise figure of the NE3210S01-T1B semiconductor is typically 1.5 dB.
4. Can the NE3210S01-T1B semiconductor be used in high-temperature environments?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is designed to operate reliably in high-temperature environments up to 125°C.
5. What is the recommended supply voltage for the NE3210S01-T1B semiconductor?
The recommended supply voltage for the NE3210S01-T1B semiconductor is 5V.
6. Does the NE3210S01-T1B semiconductor require an external matching network?
No, the NE3210S01-T1B semiconductor is internally matched and does not require an external matching network.
7. What is the gain of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The gain of the NE3210S01-T1B semiconductor is typically 15 dB.
8. Is the NE3210S01-T1B semiconductor RoHS compliant?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is RoHS compliant.
9. What is the package type of the NE3210S01-T1B semiconductor?
The NE3210S01-T1B semiconductor is available in a SOT-89 package.
10. Can the NE3210S01-T1B semiconductor be used in wireless communication applications?
Yes, the NE3210S01-T1B semiconductor is suitable for use in various wireless communication applications including cellular and Wi-Fi.
NE3210S01-T1B Змяненні, ключавыя словы
:
NE3210S01-T1B Кошт
NE3210S01-T1B Малюнак
NE3210S01-T1B Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "NE32"