аб'ём памяці
Аб'ём памяці - гэта колькасць інфармацыі, якую можна захоўваць у кампутарнай сістэме ці прыладзе. Звычайна ён вымяраецца ў бітах (ці яго кратных адзінках, такіх як байты, кілабайты, мегабайты, гігабайты і т. д.). У кампутарах і электронных прыладах аб'ём памяці вызначае іх здольнасць захоўваць дадзеныя, праграмы і іншую інфармацыю. Большы аб'ём памяці звычайна азначае больш даступнага прасторы для захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Аб'ём памяці ў кампутарах можа быць падзелены на некалькі тыпаў, такіх як аператыўная памяць (RAM), пастаянная памяць (напрыклад, жорсткі дыск ці флэш-памяць), кэш-памяць і іншыя формы захоўвання даных. Кожны тып памяці мае свае асаблівасці і прызначэнне. Аб'ём памяці з'яўляецца важным аспектам пры выбары кампутара ці прылады, паколькі ён уплывае на магчымасці захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Большы аб'ём памяці звычайна дае больш вольнай прасторы і паляпшае прадукцыйнасць сістэмы, дазваляючы апрацоўваць вялікія аб'ёмы інфармацыі：Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC
Вытворчасць :
- Прыкладныя фільтры :
105864 прадукты
| ОБРАЗ | ЧАСТКА №. | ВЫТВОРЧАСЦЬ | АКЦЫІ | АПІСАННЕ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
28153735 | Micron Technology Inc. | 20,408 Сёння карабель | IC FLASH PAR NOR SLC 2MX8 PQFP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT28GU256AAA2EGC-0AAT | Micron Technology Inc. | 20,614 Сёння карабель | IC FLASH NOR 256MBIT | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
MT28GU512AAA2EGC-0AAT | Micron Technology Inc. | 26,207 Сёння карабель | IC FLASH NOR 512MBIT | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
M25P10-V6D11 | Micron Technology Inc. | 44,597 Сёння карабель | IC FLASH SER NOR 1MB KGD | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
S30MS512R25TFW000 | Cypress Semiconductor Corp | 16,597 Сёння карабель | IC FLASH MEMORY 48TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
S30MS512R25TFW010 | Cypress Semiconductor Corp | 22,724 Сёння карабель | IC FLASH MEMORY 48TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
S30MS512R25TFW100 | Cypress Semiconductor Corp | 49,844 Сёння карабель | IC FLASH MEMORY 48TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
S30MS512R25TFW110 | Cypress Semiconductor Corp | 13,905 Сёння карабель | IC FLASH MEMORY 48TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
HM216514TTI5SE | Renesas Electronics America | 60,088 Сёння карабель | IC SRAM 44TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
HM216514TTI5SEZ | Renesas Electronics America | 46,714 Сёння карабель | IC SRAM 44TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
HM28100TTI5SE | Renesas Electronics America | 33,834 Сёння карабель | IC SRAM 44TSOP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
DS1201+C02 | Maxim Integrated | 37,741 Сёння карабель | IC SRAM 1KBIT 100NS 5SIP | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
11AA010-I/S16K | Microchip Technology | 12,353 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA010-I/W16K | Microchip Technology | 56,063 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA010-I/WF16K | Microchip Technology | 35,694 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA020-I/S16K | Microchip Technology | 35,082 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA020-I/W16K | Microchip Technology | 52,847 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA020-I/WF16K | Microchip Technology | 52,511 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA040-I/S16K | Microchip Technology | 24,431 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
11AA040-I/W16K | Microchip Technology | 40,696 Сёння карабель | SERIAL EEPROM WAFER | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |