S30MS512R25TFW100 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH MEMORY 48TSOP
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
S30MS512R25TFW100
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
IC FLASH MEMORY 48TSOP
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
Інтэрфейс памяці :
-
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
-
Тэхналогія :
-
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
-
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Obsolete
в наличии
58,539
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
S30MS512R25TFW100 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць S30MS512R25TFW100 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc S30MS512R25TFW100. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на S30MS512R25TFW100. Націсніце, каб атрымаць прапанову
S30MS512R25TFW100 Асаблівасці
S30MS512R25TFW100 is produced by Cypress Semiconductor Corp, belongs to аб'ём памяці.
S30MS512R25TFW100 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
S30MS512R25TFW100 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Cypress Semiconductor Corp.
S30MS512R25TFW100 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S30MS512R25TFW100 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S30MS512R25TFW100 (PDF), кошт S30MS512R25TFW100, Распіноўка S30MS512R25TFW100, кіраўніцтва S30MS512R25TFW100 і рашэнне на замену S30MS512R25TFW100.
S30MS512R25TFW100 вытворчасці Cypress Semiconductor Corp можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
S30MS512R25TFW100 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных S30MS512R25TFW100 (PDF), кошт S30MS512R25TFW100, Распіноўка S30MS512R25TFW100, кіраўніцтва S30MS512R25TFW100 і рашэнне на замену S30MS512R25TFW100.
S30MS512R25TFW100 FAQ
:
1. What is the maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory withstand high temperatures?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed to withstand high temperatures, with a maximum operating temperature of 85°C.
4. What are the available package options for the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is available in a 48-ball BGA package.
5. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What is the maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 200MB/s.
7. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory operate at different supply voltages?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory can operate at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 100,000 cycles.
9. Is the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed for use in industrial-grade applications, with robust performance and reliability.
10. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm for data integrity.
The maximum operating frequency of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 50MHz.
2. What is the typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations?
The typical power consumption of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory during read operations is 25mA.
3. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory withstand high temperatures?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed to withstand high temperatures, with a maximum operating temperature of 85°C.
4. What are the available package options for the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is available in a 48-ball BGA package.
5. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support hardware data protection features?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) protection.
6. What is the maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The maximum data transfer rate of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 200MB/s.
7. Can the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory operate at different supply voltages?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory can operate at both 3.3V and 1.8V supply voltages.
8. What is the typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is 100,000 cycles.
9. Is the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory compatible with industrial-grade applications?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory is designed for use in industrial-grade applications, with robust performance and reliability.
10. Does the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory support advanced error correction mechanisms?
Yes, the S30MS512R25TFW100 NAND Flash memory supports advanced error correction mechanisms such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm for data integrity.
S30MS512R25TFW100 Змяненні, ключавыя словы
:
S30MS512R25TFW100 Кошт
S30MS512R25TFW100 Малюнак
S30MS512R25TFW100 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "S30M"