аб'ём памяці
Аб'ём памяці - гэта колькасць інфармацыі, якую можна захоўваць у кампутарнай сістэме ці прыладзе. Звычайна ён вымяраецца ў бітах (ці яго кратных адзінках, такіх як байты, кілабайты, мегабайты, гігабайты і т. д.). У кампутарах і электронных прыладах аб'ём памяці вызначае іх здольнасць захоўваць дадзеныя, праграмы і іншую інфармацыю. Большы аб'ём памяці звычайна азначае больш даступнага прасторы для захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Аб'ём памяці ў кампутарах можа быць падзелены на некалькі тыпаў, такіх як аператыўная памяць (RAM), пастаянная памяць (напрыклад, жорсткі дыск ці флэш-памяць), кэш-памяць і іншыя формы захоўвання даных. Кожны тып памяці мае свае асаблівасці і прызначэнне. Аб'ём памяці з'яўляецца важным аспектам пры выбары кампутара ці прылады, паколькі ён уплывае на магчымасці захоўвання і апрацоўкі дадзеных. Большы аб'ём памяці звычайна дае больш вольнай прасторы і паляпшае прадукцыйнасць сістэмы, дазваляючы апрацоўваць вялікія аб'ёмы інфармацыі：Прафесійныя пастаўшчыкі электронных кампанентаў | CHIPIC
Вытворчасць :
- Прыкладныя фільтры :
105864 прадукты
| ОБРАЗ | ЧАСТКА №. | ВЫТВОРЧАСЦЬ | АКЦЫІ | АПІСАННЕ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SX-3130-1658 | Cypress Semiconductor Corp | 43,592 Сёння карабель | IC FLASH NOR | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
DS3645B | Maxim Integrated | 37,253 Сёння карабель | IC | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
AT45DQ161E-CCUF-T | Adesto Technologies | 55,089 Сёння карабель | IC FLASH 16MBIT 9BGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
AT45DQ321E-CCUF-T | Adesto Technologies | 29,351 Сёння карабель | IC FLASH 32MBIT 9BGA | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TC58BVG1S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 36,883 Сёння карабель | 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TC58BYG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 40,213 Сёння карабель | 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TC58BYG1S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 30,185 Сёння карабель | 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 24,485 Сёння карабель | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 53,938 Сёння карабель | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 18,264 Сёння карабель | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 46,757 Сёння карабель | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TC58NYG1S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 23,177 Сёння карабель | 2GB NAND SLC 24NM BGA (EEPROM) | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TC58NYG2S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 41,547 Сёння карабель | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 58,189 Сёння карабель | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 29,475 Сёння карабель | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 30,513 Сёння карабель | 4GB SLC NAND BGA 24NM (EEPROM) | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 15,555 Сёння карабель | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TH58NVG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 51,729 Сёння карабель | 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V | PDF RFQ | ПАГЛЯДЗІЦЬ |
|
|
TH58NVG5S0FTAK0 | Toshiba Memory America, Inc. | 47,455 Сёння карабель | 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM | ПАГЛЯДЗІЦЬ | |
|
|
TH58NYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 40,567 Сёння карабель | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V | ПАГЛЯДЗІЦЬ |