TH58BYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
TH58BYG3S0HBAI6
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
TH58BYG3S0HBAI6 Табліцы дадзеных(PDF)
Інтэрфейс памяці :
-
Напружанне - сілкаванне :
-
Пакет / Чахол :
-
Пакет прылады пастаўшчыка :
-
Памер памяці :
-
Працоўная тэмпература :
-
серыял :
Тактавая частата :
-
Тып мацавання :
-
Тып памяці :
-
Тэхналогія :
-
Ўпакоўка :
-
Фармат памяці :
-
Час доступу :
-
Час цыкла запісу - слова, старонка :
-
Частка Статус :
Active
в наличии
61,026
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
TH58BYG3S0HBAI6 Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць TH58BYG3S0HBAI6 больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc TH58BYG3S0HBAI6. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на TH58BYG3S0HBAI6. Націсніце, каб атрымаць прапанову
TH58BYG3S0HBAI6 Асаблівасці
TH58BYG3S0HBAI6 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to аб'ём памяці.
TH58BYG3S0HBAI6 Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
TH58BYG3S0HBAI6 - гэта аб'ём памяці, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
Toshiba Memory America, Inc..
TH58BYG3S0HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TH58BYG3S0HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TH58BYG3S0HBAI6 (PDF), кошт TH58BYG3S0HBAI6, Распіноўка TH58BYG3S0HBAI6, кіраўніцтва TH58BYG3S0HBAI6 і рашэнне на замену TH58BYG3S0HBAI6.
TH58BYG3S0HBAI6 вытворчасці Toshiba Memory America, Inc. можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
TH58BYG3S0HBAI6 кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных TH58BYG3S0HBAI6 (PDF), кошт TH58BYG3S0HBAI6, Распіноўка TH58BYG3S0HBAI6, кіраўніцтва TH58BYG3S0HBAI6 і рашэнне на замену TH58BYG3S0HBAI6.
TH58BYG3S0HBAI6 FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The maximum operating temperature for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 85°C.
2. What is the typical read speed of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The typical read speed of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 100 MB/s.
3. What is the power consumption of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor during operation?
The power consumption of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor during operation is 200mW.
4. Can the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
5. What is the data retention period for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The data retention period for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 10 years.
6. Does the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor support wear leveling?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor supports wear leveling for extended lifespan.
7. What is the input voltage range for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The input voltage range for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 2.7V to 3.6V.
8. Is the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor compatible with SATA interface?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is compatible with the SATA interface.
9. What is the physical dimension of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor package?
The physical dimension of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor package is 14mm x 18mm.
10. Does the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor have built-in error correction capabilities?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor has built-in error correction capabilities for data integrity.
The maximum operating temperature for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 85°C.
2. What is the typical read speed of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The typical read speed of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 100 MB/s.
3. What is the power consumption of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor during operation?
The power consumption of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor during operation is 200mW.
4. Can the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
5. What is the data retention period for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The data retention period for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 10 years.
6. Does the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor support wear leveling?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor supports wear leveling for extended lifespan.
7. What is the input voltage range for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor?
The input voltage range for the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is 2.7V to 3.6V.
8. Is the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor compatible with SATA interface?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor is compatible with the SATA interface.
9. What is the physical dimension of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor package?
The physical dimension of the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor package is 14mm x 18mm.
10. Does the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor have built-in error correction capabilities?
Yes, the TH58BYG3S0HBAI6 semiconductor has built-in error correction capabilities for data integrity.
TH58BYG3S0HBAI6 Змяненні, ключавыя словы
:
TH58BYG3S0HBAI6 Кошт
TH58BYG3S0HBAI6 Малюнак
TH58BYG3S0HBAI6 Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "TH58"
