VNS1NV04DP-E STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Інтэгральныя схемы (ІС)
Нумар вытворцы:
VNS1NV04DP-E
Вытворца:
Катэгорыя прадукцыі:
Апісанне:
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Стан RoHs:
Без свінцу / у адпаведнасці з RoHS Табліцы дадзеных:
VNS1NV04DP-E Табліцы дадзеных(PDF)
Rds уключаны (тып) :
250 mOhm (Max)
Інтэрфейс :
On/Off
Абарона ад памылак :
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Асаблівасці :
-
Канфігурацыя вываду :
Low Side
Каэфіцыент - Уваход: Вывад :
1:1
Колькасць выхадаў :
2
Напружанне - нагрузка :
36V (Max)
Напружанне - сілкаванне (Vcc/Vdd) :
Not Required
Пакет / Чахол :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылады пастаўшчыка :
8-SO
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
серыял :
OMNIFET II™, VIPower™
Ток - выхад (макс.) :
1.7A
Тып вываду :
N-Channel
Тып перамыкача :
General Purpose
Тып уводу :
Non-Inverting
Ўпакоўка :
Tube
Частка Статус :
Active
в наличии
55,074
Unit Price:
Звяжыцеся з намі Прапанова
VNS1NV04DP-E Канкурэнтныя кошты
ChipIc мае унікальную крыніцу паставак. Мы можам прапанаваць VNS1NV04DP-E больш
канкурэнтаздольную цану для нашых кліентаў. Вы можаце атрымаць асалоду ад нашым лепшым
сэрвісам, купіўшы ChipIc VNS1NV04DP-E. Калі ласка, не саромейцеся звяртацца наконт
лепшай цаны на VNS1NV04DP-E. Націсніце, каб атрымаць прапанову
VNS1NV04DP-E Асаблівасці
VNS1NV04DP-E is produced by STMicroelectronics, belongs to PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі.
VNS1NV04DP-E Падрабязная інфармацыя аб прадукцыі
:
VNS1NV04DP-E - гэта PMIC - Пераключальнікі размеркавання харчавання, драйверы нагрузкі, буферныя ўзмацняльнікі, распрацаваныя і
вырабленыя
STMicroelectronics.
VNS1NV04DP-E вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VNS1NV04DP-E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VNS1NV04DP-E (PDF), кошт VNS1NV04DP-E, Распіноўка VNS1NV04DP-E, кіраўніцтва VNS1NV04DP-E і рашэнне на замену VNS1NV04DP-E.
VNS1NV04DP-E вытворчасці STMicroelectronics можна набыць на сайце Chipic.
Тут вы можаце знайсці розныя віды электронных дэталяў ад вядучых вытворцаў свету.
VNS1NV04DP-E кампаніі Chipic прайшоў строгі кантроль якасці і адпавядае усім патрабаванням.
Статус запасаў, пазначаны на Chipic, прызначаны толькі для даведкі.
Калі вы не знайшлі запчастку, якую шукаеце, вы можаце звязацца з намі для атрымання дадатковай інфармацыі, такі як колькасць запасаў у табліцы дадзеных VNS1NV04DP-E (PDF), кошт VNS1NV04DP-E, Распіноўка VNS1NV04DP-E, кіраўніцтва VNS1NV04DP-E і рашэнне на замену VNS1NV04DP-E.
VNS1NV04DP-E FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 40 volts.
2. What is the continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 1.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 0.0045 ohms.
4. Can the VNS1NV04DP-E MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is designed for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET features built-in ESD protection.
7. What is the gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 1.5 volts.
8. Is the VNS1NV04DP-E MOSFET suitable for use in power management applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is suitable for use in power management applications.
9. What is the package type for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The VNS1NV04DP-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
10. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET require an external freewheeling diode for inductive loads?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET requires an external freewheeling diode for inductive loads.
The maximum drain-source voltage rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 40 volts.
2. What is the continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The continuous drain current rating for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 1.7 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 0.0045 ohms.
4. Can the VNS1NV04DP-E MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is designed for use in automotive applications.
5. What is the maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The maximum junction temperature for the VNS1NV04DP-E MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET features built-in ESD protection.
7. What is the gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The gate threshold voltage for the VNS1NV04DP-E MOSFET is typically 1.5 volts.
8. Is the VNS1NV04DP-E MOSFET suitable for use in power management applications?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET is suitable for use in power management applications.
9. What is the package type for the VNS1NV04DP-E MOSFET?
The VNS1NV04DP-E MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package.
10. Does the VNS1NV04DP-E MOSFET require an external freewheeling diode for inductive loads?
Yes, the VNS1NV04DP-E MOSFET requires an external freewheeling diode for inductive loads.
VNS1NV04DP-E Змяненні, ключавыя словы
:
VNS1NV04DP-E Кошт
VNS1NV04DP-E Малюнак
VNS1NV04DP-E Напружанне на выснове
Акцыі: Хуткая праверка каціровак
Мінімальная замова: 1
Змяшчае прадукты серыі "VNS1"
